Широтно-импульсный модулятор Советский патент 1974 года по МПК H03K3/2893 H03K7/08 

Изобретение относится к радиотехнике и может быть иснользоваио в качестве спускового устройства. Известен широтио-имнульсный модулятор, содержащий одновибратор с эмиттериой связью на транзисторах прямой нроводимости, два диода, RC-цепочку и транзнстор обратной проводимости, коллектор которого подключен к источнику управляющего напряжения. Этот щиротно-имиульсный модулятор имеет нелинейную характеристику преобразования. С целью получения линейной характеристики преобразования щиротно-имиульспого модулятора между разрядным конденсатором и15 базой выходного транзистора включен баз.1эмиттериый переход транзистора обратной проводимости, первый диод, зашунтированный RC-цепочкой, конденсатор которой подключей к базе транзистора обратной проводи-20 мости, а другая обкладка которого соединена через второй диод с коллектором входного транзистора. На чертеже приведена приициииальиая электрическая схема предлагаемого широтно- 5 импульсного модулятора, который содержит одновибратор на транзисторах / и Упрямой проводимости, диоды 3 и 4, конденсаторы 5 н и 6, резисторы 7-13. Между конденсатором 5 и базой транзистора 2 включен база-эмиттер-30 5 10 иый переход транзистора 14 обратной проводимости, на коллектор которого подано управляющее иаиряжение. На вход 15 подаются запускающпе пмнуль сы, которые через конденсатор 16 подаются на базу транзистора /. С выхода 17 сипмаюгся выходные импульсы. Работает широтно-импульсный мод лятор следующим образом. До прихода входного импульса траизнстор / заиерт, а транзистор 2 насыщен; конденсаторы 5 и 6 через диоды 3 и 4 заряжены до напряжения, близкого к напряжению источника питания. Транзистор 14 заперт за счет протекаиня тока через диод 4. После прнхода входного импульса схема переходит во временно устойчивое состояние, когда транзнстор 2 запирается, а транзистор 1 насыщается. Диод 3 и конденсатор 5 через малое сопротивление резистора 10 подключаются к земле. Конденсатор 6 в этом состоянии отключается от земли и источника питания и за счет больщой емкости в дальиейщем выполняет роль автономного нсточннка питания, а потенциал транзистора 14 скачком нарастает на величину, равную напряжению на конденсаторе 5. Если наиряжение на коллекторе траизистг)ра 14 будет меньще напряжения на его базе (конденсаторе 5), то он насыщается, и кондексатор 5 быстро разряжается через выходное

сопротивление источника управляющего иапряжения и резистор 13. Процесс бытрого разряда заканчивается при равенстве напряжений на базе и коллекторе транзистора 14. В этот момелт транзистор 14 переходит в активную область и выполняет роль эмиттерного повторителя. Дальнейший разряд конденсатора 5 происходит но цепи: резистор 11, конденсатор 6, выходное сопротивление эмиттерного повторителя, резистор 10, насын енный транзистор /. Время разряда конденсатора 5 и определяет длительность временно устойчивого состояния.

Обратное опрокидывание схемы наступает, когда напряжение на базе транзистора 2 нроходит через нуль. Транзистор 2 снова насыщается, транзистор 1 запирается, а конденсаторы 5 п 6 восстанавливают свои заряды через диоды 3 и 4.

Изменяющемуся наиряженщо на конденсаторе 5 встречно направлено равное по величине напряжение эмиттерного повторителя, а остальные напряжения ностоянные. Действие

постоянного напряжения в контуре обеспечивает протекание постоянного тока, линейяо разряжающего конденсатор 5, что позволяет повысить линейность преобразования широгно-импульсного модулятора.

Предмет изобретения

Широтно-нмпульсный модулятор, содержанхпй одновнбратор с эмиттерной связью на транзисторах прямой проводимости, два диода, RC-цепочку н транзистор обратной проводимости, коллектор которого подключен к источнику управляющего наиряжения, отличающийся тем, что, с целью получения линейной характеристикн преобразования, между разрядным конденсатором одновибратора п базой выходного транзистора включен база-эмнтте:)ный переход транзистора обратной проводпмости, первый диод, зашунтнрованный RC-цепочкой, конденсатор которой подключен к базе транзпстора обратной проводимости, а другая обкладка которого соединена через второй диод с коллектором входного транзистора.

гт ь

,г, п.. 1

чk

€Ь