Устройство для формирования сверхпроводящего контакта джозефсона Советский патент 1974 года по МПК H01V11/00 G01R27/14 

Описание патента на изобретение SU442539A1

1

Изобретение относится к устройствам для формирования контактов Джозефсона, применяемых в чувствительных измерительных приборах и радиотехнических устройствах микроволнового диапазона.

Известны устройства для формирования контакта Джозефсона с регулируемыми параметрами - точечного контакта. Эти устройства содержат хорошо заточенную иглу и полированную пластинку из сверхпроводника, поверхности которых предварительно окислены, а также механическую систему, с помощью которой игла прижимается к пластине перпендикуляр-но ее поверхности. Параметры контакта регулируют изменением усилия нажатия иглы при перестройке механической системы.

Недостатками существующих устройств для формирования регулируемого контакта Джозефсона являются их малая устойчивость к помехам и механическим вибрациям, а также поломка рабочих элементов, иглы и пластины, что вызывает необходимость их частой замены и переградуировки регулирующей части устройства и ограничивает срок службы устройства.

В предложенном устройстве отмеченные недостатки устранены благодаря тому, что подложка, на которой размещена пленка из сверхпроводника, снабженная электрическими

выводами, покрыта тонкой магнитной пленкой с полосовой доменной структурой. Поле рассеяния таких пленок достигает весьма больщих величин в непосредственной близости от поверхности пленок, причем области концентрации поля имеют вид длинных и тонких параллельных нитей, расположенных на равных расстояниях с периодом полосовой доменной структуры.

Между пленкой из сверхпроводника и тонкой магнитной пленкой с полосовой доменной структурой, Контактируя с ними по всей площади, расположен тонкий магнитный экран со щелью, ширина которой равна периоду полосовой доменной структуры ( мкм), причем ориентация доменной структуры задается параллельной щели экрана с помощью внешнего магнитного поля, создаваемого магнитной системой. Толщина экрана со щелью 0,5-1 мкм; толщина пленки из свер.хпровоа,ника не более 1 мкм.

Такое конструктивное выполнение позволяет жестко соединить части контакта и регулировать его параметры изменением напряженности магнитного поля магнитной системы, вследствие чего устраняется взаимное перемещение частей контакта и их порча, исключается необходимость частой замены частей

0 контакта, повышается помехо- и виброустойчивость и увеличивается срок службы устройства. Схема предложенного устройства для формирования сверхпр01водящего контакта Джозефсона показана на чертеже. Устройство содержит лленку 1 из сверхпроводника, снабженную электрическими выводами 2, которая окружена пленочным магнитным экраном 3 со щелью шириной d. Со стороны щели расположена тонкая магнитная пленка 4 с полосовой доменной структурой, нанесенная на подложку 5, являющуюся базой всего комплекта пленок. Подложка размещена внутри термостатированного охлаждаемого объема 6, окруженного 1катущками магнитной системы 7, оси которых лежат в плоскости пленки 4, причем оси двух катущек проходят вдоль щели, а оси двух других ей перпендикулярны. Катушки связаны с регулятором магнитной системы 8. К электрическим выводам 2 подключен прибор 9 для контроля сверхпроводящего состояния. Устройство работает следующим образом. Нормальная составляющая поля рассеяния доменов пленки 4, выделенного щелью в экране 3, разрущает сверхпроводимость пленки 1 в области А. Глубина проникновения области А в пленку 1 зависит от напряженности поля доменов пленки 4. Эта напряженность может изменяться внещним магнитным полем, параллельным доменам пленки 4, которое создается катущками 7 и может регулироваться по величине изменением токов в катущках 7 регулятором магнитной системы. Регулятор калибруется так, чтобы при минимальном значении тока область А проникла на всю толщину плевки 1. При этом, поскольку внешнее магнитное поле параллельно щели в экране, то сверхпроводящая пленка 1 разделяется областью нормальной проводимости А, что регистрируется прибором 9 по изменению сопротивления нленки 1 и служит индикатором точности юстировки оси катущек 7 параллельно щели. По окончании юстировки увеличивают ток в катущках 7. При этом глубина проникновения области А в пленку 1 уменьшается и образуется узкая прослойка Б сверхпроводника, соединяющая две части пленки 1, ранее разделенные областью А. Ширина области Б имеет порядок величины периода доменной структуры, обычно от 0,5 до 1,5 мкм, глубина ее от поверхности пленки 1 плавно изменяется с точностью порядка 50-100 А в пределах от О до толщины пленки 1. Сверхпроводящая перемычка Б между сверхпроводниками проявляет свойства контакта Джозефсона. Параметры образовавшегося контакта контролируются прибором 9. Предмет изобретения Устройство для формирования сверхпроводящего контакта Джозефсона с регулируемыми параметрами, содержащее подложку и пленку из сверхпроводящего материала, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы устройства, повыщения его помехоустойчивости и надежности, подложка покрыта магнитной пленкой с полосовой доменной структурой, на поверхность которой нанесен слой магнитного экрана с расположенной по центру подложки продольной щелью шириной того же порядка, что и период полосовой доменной структуры, отделяющей поверхность сверхпроводящей пленки от поверхности магнитной пленки, при этом устройство снабжено магнитной системой управления доменной структурой магнитной нленки.

Похожие патенты SU442539A1

название год авторы номер документа
ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ РЕЗОНАТОР (ВАРИАНТЫ) И ФИЛЬТР 1997
  • Фоигтлендер Клаус
  • Шмидт Клаус
  • Клауда Маттиас
  • Нойманн Кристиан
RU2179356C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВА С СУБМИКРОННЫМ ДЖОЗЕФСОНОВСКИМ π-КОНТАКТОМ 2015
  • Столяров Василий Сергеевич
RU2599904C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ СЛАБЫХ СВЯЗЕЙ В СИСТЕМАХ НА ПЛЕНОЧНЫХ ВТСП-СКВИДАХ 2001
  • Югай К.Н.
  • Муравьев А.Б.
  • Югай К.К.
  • Скутин А.А.
  • Сычев С.А.
  • Серопян Г.М.
  • Канев Е.А.
RU2199796C2
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР С РАЗНЫМИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИМИ СВОЙСТВАМИ 1996
  • Югай К.Н.
  • Скутин А.А.
  • Муравьев А.Б.
  • Серопян Г.М.
  • Сычев С.А.
  • Югай К.К.
RU2107973C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ СО СВЕРХПРОВОДЯЩИМИ КОМПОНЕНТАМИ 2000
  • Фирсов Н.И.
  • Новиков И.Л.
  • Хуснутдинов Р.Ф.
  • Квасов С.Б.
RU2181222C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2006
  • Григорашвили Юрий Евгеньевич
  • Бухлин Александр Викторович
  • Верюжский Иван Васильевич
  • Мингазин Владислав Томасович
RU2308123C1
СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ КВАНТОВЫЙ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ДАТЧИК И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1997
  • Югай К.Н.
  • Скутин А.А.
  • Муравьев А.Б.
  • Сычев С.А.
  • Югай К.К.
  • Лежнин И.В.
RU2133525C1
СКВИД-МАГНИТОМЕТР НА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ПЛЕНКАХ 2000
  • Югай К.Н.
  • Муравьев А.Б.
  • Югай К.К.
  • Скутин А.А.
  • Сычев С.А.
  • Серопян Г.М.
  • Канев Е.А.
RU2184407C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРИОДИЧЕСКИХ МИКРОСТРУКТУР НА ВТСП ПЛЕНКАХ С ДЖОЗЕФСОНОВСКИМИ СВОЙСТВАМИ 2004
  • Югай Климентий Николаевич
  • Серопян Геннадий Михайлович
  • Сычев Сергей Александрович
  • Муравьев Александр Борисович
  • Скутин Анатолий Александрович
  • Пашкевич Дмитрий Сергеевич
  • Семочкин Виктор Владимирович
RU2275714C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПЕРЕХОДА ДЖОЗЕФСОНА 1997
  • Алаудинов Багомед Магомедович
  • Ковьев Эрнст Константинович
  • Куприянов Михаил Юрьевич
  • Поляков Сергей Николаевич
RU2107358C1

Иллюстрации к изобретению SU 442 539 A1

Реферат патента 1974 года Устройство для формирования сверхпроводящего контакта джозефсона

Формула изобретения SU 442 539 A1

SU 442 539 A1

Авторы

Голиков Александр Павлович

Зеликман Мендель Хацкелевич

Клюкин Лемарк Михайлович

Фабриков Вадим Артемьевич

Даты

1974-09-05Публикация

1972-06-05Подача