1
Изобретение относится к области импульсной техники и может найти применение, например, при разработке источников питания импульсных газоразрядных ламп оптических квантовых генераторов.
Известны устройства для заряда емкостного накопителя энергии от первичного источника питания, подключенного к входу импульсного преобразователя напряжения, нагруженного на первичную обмотку трансформатора, вторичная обмотка которого включена в входную диагональ четырехдиодного моста, к выходной диагонали которого через зарядный дроссель подключен накопительный конденсатор.
Недостаток известных устройств заключается в том, что в них на начальном этапе заряда накопительного конденсатора при постоянстве потребляемой мощности возникают перегрузки по току.
С целью снижения перегрузок по току на начальном этапе заряда емкостного наконителя энергии устройство содержит резистор, транзистор п-р-/г-типа проводимости, динистор, пятый диод и двухобмоточный импульсный трансформатор, причем резистор включен последовательно в цепь подключения накопительного конденсатора через зарядный дроссель к выходной диагоналн четырехдиодного моста, коллектор транзистора
соединен с оощеи точкой резистора и положительного вывода четырехдиодного моста, эмиттер транзистора соединен с общей точкой резистора н накопительного конденсатора,
одна обмотка двухобмоточного импульсного трансформатора включена нараллельно зарядному дросселю, а другая обмотка присоединена своим средним выводом к эмиттеру транзистора и крайними выводами - к анодам динистора п пятого диода, катоды которых соединены с базой транзистора.
На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема устройства; на фиг. 2 - эпюры напряжений и токов.
Устройство содержит импульсный преобразователь напряжения 1, трансформатор 2, мост 3 на четырех диодах 4-7, зарядный дроссель 8, наконительный конденсатор 9, резистор 10, транзистор п-р-л-типа проводимости 11, пятый диод 12, динистор 13 н двухобмоточный импульсиый трансформатор 14.
Имиульсный преобразователь напряжения I подключен входом к первичному источнику питания 15 и нагружен на первичную обмотку
трансформатора 2, вторичная обмотка которого включена в входную днагональ четырехдиодного моста 3. К выходной диагонали моста 3 через зарядный дроссель 8 и резистор 10 иодключен накопительный конденсатор
9. Коллектор транзистора 11 соединен с общей точкой резистора 10 и положительного вывода диодного моста 3, эмиттер транзистора 11 соединен с общей точкой резистора 10 и конденсатора 9. Одна обмотка двухобмоточного имнульсного трансформатора 14 включена нараллельно дросселю 8, а другая обмотка нрисоединена своим средним выводом к эмиттеру транзистора 11 и крайними выводами-к анодам динистора 13 и диода 12, катоды которых соединены с базой транзистора 11.
Устройство работает следующим образом.
Имнульсный нреобразователь 1 вырабатывает прямоугольные имнульсы ( фиг. 2, а) с переменной скважностью, которая в процессе заряда коиденсатора 9 необходима для стабилизацин мощности, нотребляемой от источиика 15. На начальном этапе заряда конденсатора 9 скважность импульсов велика и на фиг. 2, а показана слева, а на конечном участке мала и на фиг. 2, а показана справа. Переменное напряжение преобразователя 1 через повышающий трансформатор 2 поступает на вход выпрямнтельного моста 3. На выходе .моста 3 получаются однонолярные импульсы напряжения (фиг. 2,6), которые через дроссель 8 и транзистор 11 заряжают конденсатор 9. Форма тока в зарядной цени устройства изображена на фиг. 2, в. Разрядка дросселя ироисходит во время паузы в работе преобразователя через диоды 4, 5 и 6, 7 по двум электрическим цепям. На начальном этане заряда конденсатора 9 разрядка дросселя 8 осуществляется через резистор 10 и это устраняет перегрузки по току, а в дальнейщем дроссель 8. разряжается через открытый транзистор 11. Для коммутации разрядного тока дросселя 8 напряжение его обмотки (фиг. 2, г) ноступает через трансформатор 14, днод 12, динистор 13 на базу транзистора И. Положительные импульсы папряжепия управляют работой транзистора 11 через диод 12, независимо от амплитуды этих импульсов в процессе заряда конденсатора 9. Отрицательные импульсы напряжения, снимаемые с дросселя 8 (фиг. 2, г), унравляют работой транзистора 11 через динистор 13, причем на начальном этапе заряда конденсатора 9 амплптуда этих импульсов недостаточна Для пробоя диннстора 13 и, следовательно, транзистор 11 не открывается, а дроссель 8 разряжается через резистор 10. При дальнейшем заряде конденсатора 9 дроссель 8 разряжается через открытый транзистор 11, так как амплитуда отрицательного напряжения на дросселе 8 (фнг. 2, г, справа) возрастает до напряжения пробоя динистора 13.
Таким образом, устройство обеспечивает постоянное потребление мощности от первичного источника питания и при этом уменьшает броски токов на начальном этапе заряда накопительного конденсатора, прнчем без снижения общего коэффициента нолезного действня.
Предмет изобретения
Устройство для заряда емкостного накопителя энергии от нервичного источника ннтания, подключенного к входу имиульсного преобразователя нанряжения, нагруженного на нервичную обмотку трансформатора, вторичная обмотка которого включена в входную диагональ четырехдиодного моста, к выходной диагонали которого через зарядный дроссель подключен накопительный конденсатор, о т л 1 чающееся тем, что, с целью снижения перегрузок по току на начальном этапе заряда емкостного накопителя энергии, оно содержит резистор, транзистор п-р-п-типа проводимости, динистор, пятый диод и двухобмоточный импульсный трансформатор, причем резистор включен последовательно в цепь подключения накопительного конденсатора через зарядный дроссель к выходной диагонали четырехдиодного моста, коллектор транзистора соединен с общей точкой резистора и положительного вывода четырехдиодного моста, эмиттер транзистора соединен с общей точкой резистора и накопительного конденсатора, одна обмотка двухобмоточного нмпульсного трансформатора включена нараллельно зарядному дросселю, а другая обмотка нрисоединена своим средним выводом к эмиттеру транзистора и крайними выводами - к анодам динистора и пятого диода, катоды которых соединены с базой транзистора,
3. I 1
2п
15
Фаг i
I
iJ
