Способ измерения толщины слоев полупроводниковых материалов Советский патент 1974 года по МПК G01B11/06 

Изобретение относится к области измерения параметров полупроводниковых материалов и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов.

Известен способ измерения тилщины слоев пол5проводниковых материалов интерференционным методом, который заключается в просвечива(Нии слоя,нанесенного на подложку, светом, направленным перпендикулярно к поверхности слоя, и спектро отометрическом исследовании интерферирующих отраженных лучей, по результатам которого определяют толщину слоя.

Однако ни один из существующих до настоящего времени методов не позволял измерять толщину слоев, если химический состав проводимости и концентрация носителей тока в них мало отличается от соответствующих величин в материале подложки.

Для измерения толщины слоев, мало отличающихся по химическому составу,типу проводимости и концентрации носителей от материала подложки,предлагается способ, по которому помещают в поляризованный световой поток объект измерения таким образом, чтобы поверхности его слоев были параллельны направлению потока, и по выявленной границе раздела между слоями определяют их толщину.

Описываемый способ прост в эксплуатации и не требует химической подготовки образцов.

Принципиальная схема измерения по предложенному способу показана на чертеже.

Свет от источника I проходит через конденсор 2, поляризатор 3, образец , анализатор 5, фокусирующую систему 6 и попадает на регистрирующее устройство 7.

Исследуемый образец помещают между скрещенными поляризатором 3 4 ..3.... . И анализатором 5 так, чтобы, плоскость, разделяющая слои (она параллельна поверхности слоя), была параллельна световому потоку Учас тки образца (слой и подложка) из-за различных внутренних напрякейий будут иметь различную яркость при наолюдении их за анализатором 5« (Разница внутренних напряжений в слое и подложке обусловлена различными условиями получения слоя и подложки) Поворотом образца вокруг оптической оси системы выбирается положение, в котором границы между слоями наиболее резкие. Толщина слоев измеряется с помощью окулярного винтового микрометра или с помощью другого оптического прибора. Толщину слоев полупроводниковых материалов описанным способом 3 можно измерять поляризационными микроскопами. ПРЕДМЕТ ИЗРЕР.ЕТЕШЯ Способ измерения толщины слоев, полупроводниковых материалов, обладающих двойным лучепреломлением, при котором объект измерения помещают в световой поток, отличающийся тем, что, с целью измерения толщины слоев, малоотличающихся по химическому составу, .типу проводимости и концентрации носителей от материала подложки, помещают в поляризованный световой поток объект измерения таким образом, чтобы поверхности его слоев были параллельны направлению потока, и по выявленной границе раздела между слоями определяют их толщину.