Способ создания контакта Советский патент 1978 года по МПК H01L21/26 H01L21/28 

|}1зобрегение относится -к технологии изготовления полупроводниковых приборов и касается создания контакта с высокоомным кремнием. Такие контакты необходимы в полупроводниковых приборах, в которых при работе создаются сильные электрические попя.

Известен способ получения омического контакта с кремнием методом вплавпения заключающийся в том, что э пластину кремния в вакууме вплавляют золото, легированное сурьмой. Однако известный способ позволяет получать контакты на кремнии с удельным сопротивлением 2ОО Ом-см, не инжектирующие неосно&ные носители тока только до полей напряженностью 1-2 кВ/см. В цепом раде технических применений, например в полупроводниковых датчиках для работы в качестве детекторов мощности в ВЧ и СВЧ трактах, где используется кремний с удельным сопротивпением 2ОО Ом-см и выше, изготовление контактов этим методом приводит к тому, что характеристики датчиков ухудшаются и в отдельных

случаях становятся вообще непригодныкш для работы при больших уровнях мощностей, когда напряженность электрического поля в приборе превышает несколько вольт на сантиметр.

Цель изобретения - разработка контакта, не инжектирующего носители тока в электрических полях напряженностью превышающей 1О кВ/см.

С гласно изобретению дяя достижения поставленной аели поверхность выссжоомной кремниевой пластины п -типа проводимости обрабатывают концентрированным потоком полихроматического света в интервале длин волн от 0,2 до 1,2 мкм мощностью 1О - 1о Вт/см , создавая определенный по направлению и величине температурный градиент; на обработанную пластину наносят низкоомный слой кремния того же типа проводимости толщиной не менее 150 мкм с зеркально гладкой поверхностью н впоследствии в нанесенный слой вппавпяют золото, .легированное сурьмой.