Способ получения линейных изображений Советский патент 1974 года по МПК H01L21/3105 

I

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к изготовлению фотошаблонов для интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.

Известен способ получения линейных изображений с использованием контактной фотопечати, включающий операции наложения на подложку с предварительно нанесенным слоем маскирующей пленки и слоем фоторезиста прозрачпой подложки, на поверхности которой сформирована топология микроизображений, создания плотного контакта, экспонирования через прозрачную подложку с топологией микроизображений. Затем экспонированную подложку со светочувствительным слоем проявляют и травят.

Однако при этом способе из-за влияния дифракции на краю изображения, рассеяния и многократного отражения в слое фоторезиста не удается получить качественные изображения менее I-2 мкм.

С целью пол чения линейных изобран ений субмикронного размера по предлагаемому способу по окончании операции нанесения фоторезиста формируют один край линейного изображения, после чего на протравленную поверхность наносят негативный фоторезист, на который накладывают подложку поверхностью, имеющей слой с наружным отражением, и формируют второй край линейного изображения; формирование второго края линейного изображения производят экспонированием через протравленную поверхность маскирующей пленки.

По предлагаемому способу приведена технологическая схема последовательного получения линейных изображений.

На прозрачной подложке I с предварительно нанесенным тонким слоем маскирующей пленки 2 способом фотолитографии формируется один край 3 линейного изображения, носле чего на ту же поверхность подложки 1 наносят слой негативного 4зоторезиста 4, а

затем накладывают подложку 5 с отражательным слое.м 6, обращенным в сторону фоторезиста. Экспонирование производят через подлол ку 1. За счет дифракции па линейном краю 3 маскирующей нленкп 2, рассеяния света в пленке фоторезиста 4, .многократного отражения света между отраженной поверхностью 6 подложки 5 п маскирующей пленкой 2 подложки 1 фоторезист 4 поглощает энергию облучения в зоне, закрытой

маскирующей пленкой 2 от прямого облучения световой энергией.

В процессе проявления удаляется слой фоторезиста, на который не воздействует энергия, и часть маскирующей .пленки 2 оказывается защищенной слоем фоторезиста. ТаKH.f образом создается второй край лннэнного изображения.

Предмет изобретения

I. Способ получения линейных изображений, включающий операции нанесения маскирующей пленки и фоторезиста, формирования изображения, проявления и травления, отличающийся тем, что, с целью получения линейных изображений субмикронного размера, по окончании операции нанесения фоторезиста формируют один край линейного изображения, после чего на прой лшиую поверхность наносят негативный фоторезист, на который накладывают подложку поверхностью, имеющей слой с наружным отражением, и формируют второй край лнййййого изображения.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формирование второго края линейногс изображения производят экспонированием через протравленную поверхность маскирующей пленки.

/

-,™---gjjj- ™-;.:.г,

Oiliil:

гЖ, /у /

6

rTT rViKJi -o- iOSS r T -1( t о г о о я п

|ЖСЛ35Ж531Х;23 ЕЯЗШ

Ч // - // /

24