Фазосдвигающее устройство для управления тиристором Советский патент 1974 года по МПК H02M1/08 H02P13/16 H03K17/00 

1

Изобретение относится к фазосдвигающим устройствам для управления тиристором и, в частHOCTL, к магнитнотполупроводниковьш фазосдвигающилд устройствам

Известны фазосдвигающие устройства для управления тиристог ром, содержащие дроссель насыщения из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, один конец первичной обмотки которого под ключен к источнику постоянного напряжения, второй конец подключен к эмиттерам транзисторных ключей, в коллекторную цепь одного из которых включен источник управляющего напряжения, в коллекторную цепь другого включена коллекторная цепь, коммутирующег транзистора, перехода базатэмиттер транзисторных ключей подсоединены к источнику переменного напряжения, а переход база эмиттер коммутирующего транзистора подключен к вторичной обмотке

дросселя насыщения.

Недостатком известных устройств является наличие зоны нечувствительности, что усложняет систему сеточного управления, например, нереверсивных тиристорных преобразователей,требуя включения дополнительного источника стабилизированного напршекия последовательно источнику управля ющего напряжения для компенсащш. зоны нечувствительности.

Предлагаемое устройство отличается от известного тем, что

в нем коллектор одного из транзисторных ключей подсоединен к источнику постоянного напряжения, а один из концов первичной обмотки дросселя насыщения подключен к

коллектору коммутирующего транзистора, встречноггпараллельно которому включен диод.

Это позволяет исключить зону нечувствительности

На чертеже показана принципиальная схема предлагаемого устройства. В предлагаемом устройстве один конец первичной обмотки К дросселя насыщения 2 из материала о прямоугольной петлей гистерезиса подключен к эниттерам транзисторов 3 и 4, работающих в ключе-гвом режиме, причем коллектор транзистора 3 подключен к источнику управляющего напряжения U у коллектор транзистора 4 подключен к источнику постоянного напряжения Un , а их база эмиттерные переходы подсоединены к синхронизирующему источнику 5 переменного напряжения. Вторичная обмотка 6 дросселя 2 подключена к база эмиттерному переходу коммутирующего транзи стора 7, коллектор которого подсоединен к второму концу первичной обмотки 1 дросселя 2. Встречно паралл ел ьно транзистору 7 включен диод 8. К первичной обмотке I дросселя насыщения 2 в интервале времени, когда открыт транзистор 3, приложено напряжение источника управляющего напряжения Uy. Ток намагничивания замыкается через .диод 8. За полупериод синхронизирующего переменного напряжения источ ника 5 дроссель 2 перемагничивает ся от индукции насыщения до некоторого значения индукции, в. резул тате чего приращение индутсции составляет величину д В . Для этого интервала времени уравнение вольт секундой площади перемапшчивания дросселя. . Uy:H ) где $ - площадь поперечного сечения сердечников дросселя; W - количество витков первичной обмотки дросселя. После того, как знак синхронизирующего напряжения источника 5 изменится, транзистор 3 закрывается, а транзистор 4 открывается. Одновременно во вторичной об. мотке 6 дросселя 2 наводится э.д.с. такого знака, что ком 1утирующий транзистор 7 также открыва ется. С этого момента дроссель под ействием напряжения источника остоянного напряжения Un пеемагничивается в обратном напавлении до насыщения, после че-о транзистор 7 закрывается, и а вход тиристора 8 поступает упавляющий импульс. Уравнение вольт-секунднои лощади перемагничивания дросселя ля этого интервала времени (A, где d - угол управления. Из равенства вольт секундных площадей перемагничивания дросселя и иг Таким образом, в предлагаемом устройстве зона нечувствительности при преобразовании управляющего напряжения в угол управления отсутствует.. ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ Фазосдвигающее устройство для управления тиристором, содержащее дроссель насыщения из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, один конец первичной обмотки которого подключен к эмиттерам транзисторных ключей, коллектор одного из которых подключен к источнику управляющего напряжения, а их база -эмиттерные переходы связаны с источником переменного напряжения, источник постоянного напряжения и коммутирующий транзистор, управляемый от вторичной обмотки .дросселя насыщения, отличающеес я тем, что, с целью исключения зоны нечувствительности, коллектор второго транзисторного ключа подсоединен к источнику постоянного напряжения, а второй конец первичной обмотки дросселя насыщения подключен к коллектору коммутирующего транзистора, встречно ггпаралл ел ьно которому включен диод.