Генератор ударного возбуждения Советский патент 1975 года по МПК H03B11/00 

Изобретение относится к импульсной технике. Устройство может быть использовано в технике связи, импульсной технике для повышения стабильности частоты следования импульсов и как генератор двух электрических колебаний, имеющих различные частоты.

Известны генераторы ударного возбуждения, выполненные но двухтактной схеме на двух транзисторах с коллекторно-базовыми трансформаторными обратными связями, содержащие в цепи эмиттера первого транзистора LC-колебательный контур, причем коллекторы и базы транзисторов подключены к соответствующим коллекторным и базовым обмоткам через дроссели.

Однако известные генераторы ударного возбуждения одновременно генерируют электрические колебания лишь одной частоты, так как содержат один LC-колебательный контур в цени эмиттера первого транзистора.

Цель изобретения - одновременное генерирование двух электрических колебаний, имеющих различные частоты при отсутствии их взаимодействия.

Достигается эта цель тем, что в цепь эмиттера второго транзистора введен дополнительный LC-колебательный контур, а между указанными контурами и источником питания включены дополнительные транзисторы, базы которых подключены через дроссели к базовым оомоткам, а коллекторы через диоды - к соответствующим коллекторным обмоткам. На чертеже приведена принципиальная схема генератора ударного возбуждения. Предлагаемый генератор содерлшт транзисторы 1-4 (транзисторы 3 и 4 дополнительные), LC-колебательные контуры 5 и 6 - дополнительный, трансформатор 7, диоды 8, дроссели 9, разделительные конденсаторы 10,

клеммы 11, с которых сннмаются электрические колебания различных частот fi и /2 в соответствующие усилительные устройства или в излучающие системы, источник питания 12. Работает генератор следующим образом.

Дополнительные транзисторы 3 и 4 и дополнительный LC-колебательный контур, введенные в схему генератора ударного возбуждения, выполненного по двухтактной схеме, образовали носледовательно соединенные элементы: транзнстор 1 - LC-контур 5 - транзистор 3 в первом плече и транзистор 2 - LC контур 6 - транзистор 4 во втором плече. Пары транзисторов 1, 3 и 2, 4 работают попеременно, как в обычной двухтактной схеме -

первое плечо схемы открыто, второе закрыто, и наоборот. Однако для начала блокинг- процесса в каждом плече и окончания его в момент среза рабочего импульса транзисторы в каждой паре 1, 3 или 2, 4 должны работать

синхронно - одновременно отпираться и занцраться. Такое состояние транзисторов обеспечивается тем, что базы дополнительных транзисторов 3 и 4 соединены через дроссели 9 с базовыми обмотками, а коллекторы подсоединены дополнительно через диоды 8 к соответствующим коллекторным обмоткам.

Дноды 8 подводят к коллекторам транзисторов 3 и 4 питание непосредственно с коллекторной обмотки, минуя цепи транзисторов 1 и 2. При образованини на базах соответствующего потенциала напряжения, транзисторы 1, 3 или 2, 4 отпираются или запираются одновременно. В открытом состоянии транзисторов 1 н 3 первого плеча, протекающим током формируемого рабочего импульса прямоугольной формы через эти транзисторы, в катущке индуктивности LC-контура 5 накапливается энергия магнитного поля. Собственные колебания в контуре в это время отсутствуют. После среза импульса, транзисторы 1 и 3 запираются, и колебательный контур 5 оказывается изолированным от схемы генератора.

Энергия, запасенная в катушке индуктивности контура, в течение времени формирования рабочего импульса, не исчезает мгновенно, а переходит в энергию электрического поля конденсатора, которая, в свою очередь, через некоторое время снова перейдет в энергию магнитного поля катущки и так далее. В LC-контуре 5 возникают медленно затухающие собственные колебания частотой fi. Частота колебаний зависит от параметров L и С, составляющих данный контур, а время затухания определяется добротностью этого контура. Переходы запертых транзисторов из-за малой связи и большного сопротивления устраняют просачивание энергии собственных колебаний из LC-контура 5 в схему и потому не оказывают влияния на LC-колебательный контур 6 второго плеча генератора, в котором происходит в это время формирование вершины рабочего импульса тока и накапливание энергии магнитного поля в катушке индуктивности контура 6.

После среза импульса, транзисторы 2 и 4 запираются, как это было и в первом плече, возникают медленно затухающие собственные колебания частотой /2. Энергия собственных колебаний из LC-контура 6 не проникает через переходы запертых транзисторов 2 и 4 в

схему и не влияет на процессы первого плеча, в котором происходит вновь формирование вершины рабочего импульса тока и накапливание энергии в катушке индуктивности LCконтура 5.

Таким образом, дополнительные транзисторы 3 и 4 исключают взаимодействие LC-колебательных контуров 5 и 6, чем и обеспечивается одновременное генерирование двух электрических колебаний, имеющих различные частоты /1 и /2 в зависимости от индивидуальной настройки каждого контура. Перестройка колебательного контура 5 и 6 на заданную частоту в пределах расчетных параметров

контура производится конденсатором переменной емкости С, являющимся составным элементом контура.

Собственные колебания в контуре прекращаются, когда транзисторы вновь отпираются

для формирования следующего рабочего импульса.

Электрические колебания двух частот fi и /г снимаются с LC-колебательных контуров 5 и 6 через разделительные конденсаторы 10 и выходные клеммы 11 в соответствующие усилительные устройства или в излучающие системы.,

Предмет изобретения

Генератор ударного возбуждения, выполненный по двухтактной схеме на двух транзисторах с коллекторно-базовыми трансформаторными обратными связями, содержащий в

цепи эмиттера первого транзистора LC-колебательный контур, причем коллекторы и базы транзисторов подключены к соответствующим коллекторным и базовым обмоткам через дроссели, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности одновременного генерирования двух электрических колебаний, имеющих различные частоты при отсутствии их взаимодействия, в цепь эмиттера второго транзистора введен дополнительный

LC-колебательный контур, а между указанными контурами и источником питания включены дополнительные транзисторы, базы которых подключены через дроссели к базовым обмоткам, а коллекторы через диоды - к соответствующим коллекторным обмоткам.

- С

rt

% /

i

SAs / oat

9

П

f