Двухоперационный тиристор Советский патент 1979 года по МПК H01L29/00 

1

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых переключающих приборов.

Известны двухоперационные тирис- торы, содержащие планарный .эмиттер со слоем высокой концентрации у поверхности и базу со слОем повышенной концентрации примеси у анодного миттерного перехода,а также электроды к эмиттерам и ко второй базе. Однако известные тиристоры отличаются низким значением выключаемого тока Зногр, пониженнытли частотными свойстваи, высоким остаточным напряжением

Ug«n И др.

Для улучшения электрофизических параметров в предлагаемом тиристоре планарный эмиттерный слой, через который осуществляется управление, выполнен из двух однотипных областей , с различной ко.нцентрацией примеси, причем область, примыкающая к переходу, имеет меньшую концентрацию примеси по всей поверхности перехода, а широкая база содержит слой с повышенной концентрацией примеси переменной величины, при этом градиент концентрации направлен в сторону примыкающего -к нему эмиттера..

Описанное конструктивные особенности тиристора позволяют повысить выключаемый ток за счет обеспечения необходимых величин коэффициентов усиления по току составляющих транзисторов (.{р-п-р) п-р-п) / при выполнении.условия ; ,,р. i, а также низкого сопротивления растекания управляемой базы и

0 повышенного напряжения пробоя планарного эмиттера.

, Наличие в слое широкой базы тиристора области с повышенной концентрацией примеси, градиент которой направ5 .лен к анодному эмиттеру, позволяет существенно .уменьшить толщину базы без изменения величины о/р-п-р , что сокращает время переходных процессов включения и выключения.

0

Улучшение .частотных харак.геристик достигается также за счет действия встроенного поля в широкой базе.

Структура может быть реализована

5 при помощи ряда, последовательных диффузий или посредством эпитаксильного наращивания.

Предлагаемая конструкция двухоперационного.тиристора по сравнению

0 с известными конструкциями имеет 34574 лучшие значения таких параметров как выключаемый анодный ток, время включения и выключения и остаточное,напряжение. Формула изобретения5 Двухоперационный тиристор р-пт-р-птипа, содержащий планарный эмиттер со слоем высокой концентрации у поверхности и базу со слоем повышен- ю ной концентрации примеси у анодного эмиттерного перехода, а элек4троды к эмиттерам и ко второй базе, отличающийся тем, что,, с целью повышения выключаемого тока и улучшения частотных характеристик, содержащийся в базе слой по вышенной концентрации примеси выполнен с переменной концентрацией, градиент которой направлен в сторону примыкающего к нему эмиттера, а .упомянутый планарный эмиттер внполнен так, что слой с высокой концентрацией примеси отделен от базы однотипным с йим слоем с меньшей концентрацией.