Формирователь импульсов Советский патент 1975 года по МПК H03K3/335 

1

Изобретение относится к имлульсной технике и может использоваться для получения им,пульсов большой амплитуды с малыми длительностями фронтов на большой емкостной нагрузке (генераторы импульсов подсвета в осциллографах, схемы для возбуждения диэлектрических пленок, схемы, управляющие элбктрояно-оптическими затворами, и др.).

Известен формирователь имяульсов, содержащий входной и выходной лавинные транзисторы, к базам которых подключены раздельные выходы источника импульсов и два разрядных диода.

Целью изобретения является упрощение формирователя и расширение его функциональных возможностей.

Для этого коллектор входного лавинного транзистора через первый разрядный диод подключен к точке соединения анода второго разрядного диода с базой выходного лавинного .транзистора, к эмиттеру которого подключен катод второго разрядного диода и нагрузка, -причем к коллектору входного лавинного транзистора подключен анод первого разрядного диода, а катод этого диода подключен к точке соединения анода второго разрядного диода с базой выходного лавинного транзистора.

На чертеже приведена принципиальная схема формирователя.

Формирователь импульсов содержит источник прямоугольных импульсов 1, входной и выходной лавинные транзисторы 2 и 3 соответственно, первый и второй разрядные диоды 4 и 5 соответственно, трансформатор 6, резистор 7 и нагрузочный резистор 8, а также нагрузочный конденсатор 9.

Формирователь работает следующим образом.

В исходном состоянии транзисторы 2 и 3 закрыты, так как напряжение ЕК выбирается близким, но меньшим напряжения лавинного пробоя транзистора. При запуске схемы от источника прямоугольньтх импульсов 1 этот импульс через трансформатор 6 отпирает лавинный транзистор 3 и вводит его в насышение. При пробое лавинного транзистора через него протекает большой ток (единицы - десятки ампер), приводящий к очень быстрому заряду конденсатора 9. По окончании заряда конденсатора 9 ток через лавинный транзистор уменьшается до значения, равного и транзистор оказывается в состоянии насыщения (здесь ,. - сопротивление нагрузочного резистора 8). Вследствие насыщения рассеиваемая на транзисторе мощность значительно меньше, чем в обычных схемах на лавинных транзисторах, а импульсы на нагрузке имеют плоскую вершину.

По окончании требуемого временного интервала короткий оппира-ющий имлульс поступает на второй лавинный транзистор 2 (этот импульс можно получить дифференцированием почти прямоугольного нмпульса, запускающего транзистор 3). При пробое лавинного транзистора 3 конденсатор 9 быстро разряжается через открывшиеся диоды 4 и 5 и лавинный транзистор 2. При этом иадение на|Пряжения на диоде 5 от большого разрядного тока надежно запирает лавинный транзистор 3 даже в том случае, если отпираюш,ий импульс на первичной обмотке трансформатора 6 не закончился. Это также способствует весьма быстрому выходу транзистора 3 из режима насыщения.

В предложенном формирователе значительно уменьшена вероятность отказа транзисторов 2 и 3. Оба транзистора оказываются в режиме лавинного пробоя очень короткое время - время длительности фронтов. Одновременное включение транзисторов автоматически устраняется. Рассеиваемая транзисторами 2 и 3 мощность во время иаузы между имлульсами и во время формирования вершины весьма мала. Амплитуда импульсов практически равна к. Длительность импульсов может изменяться в очень широких пределах: от

.суммарной длительности фронтов до десятков - сотен миллисекунд. Время восстановления весьма мало - практически оно .превышает длительность фронта на время выхода транзистора 2 из режима насыщения.

Предложенный формирователь может позволить получить импульсы с амплитудой более 100 в.

Предмет изобретения

Формирователь импульсов, содержащий входной и выходной лавинные транзисторы, к базам которых подключены раздельные выходы источника и.мпульсов и два разрядных

диода, отличающийся тем, что, с целью упрощения формирователя и расширения его функциональных возможностей, коллектор входного лавинного транзистора через первый разрядный диод подключен к точке соединения анода второго разрядного диода с базой выходного лавинного транзистора, к эмиттеру которого подключен катод второго разрядного диода и нагрузка, причем ,к коллектору входного лавннного транзистора подключен анод

первого разрядного диода, а катод этого диода подключен к точке соединения анода второго разрядного диода с базой выходного лавинного транзистора.