1
Изобретение относится к вычислительной технике и может найти применение, в запоминающих устройствах при записи информации на тонкие магнитные пленки.
Известен термомагнитный способ записи информации на тонкие магнитные пленки, когда записываемый участок нагревается сфокусированным лучом лазера, а к носителю информации прикладывают внешнее магнитное поле, которое перемагничивает нагреваемый участок. При этом внешнее магнитное поле не может перемагнитить ненагреваемые участки.
При записи известным способом необходимо прикладывать внешнее записывающее поле. Кроме того, сканирование оптического излучения с последующей фокусировкой затруднительно при больших объемах записываемой информации.
Цель изобретения - упрощение записи и повышение ее плотности - достигается тем, что по предлагаемому способу перемагничивающий импульс тока подводят к поверхности электропровол ящей магнитной пленки под углом к перемагничиваемому участку.
К записываемому участку тонкой магнитной пленки подводят электрический ток. Возникающее при этом вблизи подводимого тока магнитное поле перемагничивает участок пленки. Область, в которой происходит запись информации, зависит от порога переключения
магнитной структуры и величины электричеcKOiO тока.
Для ферромагнитных пленок, в которых вектор намагниченности находится в плоскости пленки, условием записи информации является установление вектора намагниченности в записываемом участке перпендикулярно или противоположно основному направлению намагниченности. Имеется ряд ферромагнитных .материалов, в которых возможно удержание таким образом записанной информации на микроучастках поверхности пленок. В частности, такими материалами являются кобальт, кобальт с добавками фосфора, сплавы никеля с железом с полосовой доменной структурой и др.
Основным параметром, характеризующим процесс записи, является пороговое поле переключения структуры Нр. В тех участках пленки, где внешнее магнитное поле превышает Нр, происходит перемагничивание, т. е. запись информации. Протекающий в микропроводнике электронный луч или ток, подводимый к проводящей магнитной пленке, создает круговое магнитное поле. На поверхности пленки это поле можно определить, считая направление тока перпендикулярным к поверхности носителя информации, а проводник
0,1/
полубесконечным, по формуле Н
где / - электрический ток в амперах, г величина радиуса-вектора, соединяющего проводник и точку, в которой определяется поле, в сантиметрах.
Граница области записи информацпи описывается уравнепиел окружности
0,1/ Х
Y 2Н)
2Нр
0,1/ Внутри круга радиусом R
происхо/пп.2/-/,
иереключение структуры, этим же значением можно оценить плотность записи информации. В процессе записи информации электрическим током происходит нагрев записываемого участка. Это явлепие улучшает условие заппси, так как при нагреве уменьшается пороговое поле Яр.
Сфокусированный электропный луч сканируется в нужную точку тонкой ферромагнитной пленки. Ток электронного луча создает круговое магннтное поле, величина которого иблизн сечепия луча достаточна л.ля псрек.почсния доменной структурьг
П
|) i л. Л1 е т И -, о G р с т с н н я
Способ записи информации, основанный на 1 пздействии неремагничивающего электрического ноля на магннтную нленку, отличающийся тем, что, с пелью упрощения записп и иовлщепня ее плотности, иеремагничиваюЩ1Н импульс тока подводят к поверхностн элeктpOI poвoдяпJ,eй магнитной иленкн нод vr;цзм к перемагннчивасмому участку.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Магнитоупругий преобразователь усилий и деформаций в число-импульсный сигнал | 1980 |
|
SU922500A1 |
СПОСОБ СВЕРХБЫСТРОГО ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЯ | 1999 |
|
RU2279147C2 |
Способ термомагнитной записи на многослойную структуру | 1989 |
|
SU1748203A1 |
СПОСОБ СЧИТЫВАНИЯ С МАГНИТНОГО НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ НА ОСНОВЕ ПОЛИМОРФНОГО ЖЕЛЕЗОНИКЕЛЕВОГО СПЛАВА | 2006 |
|
RU2313836C2 |
Способ изготовления носителей информации на полосковых магнитных доменах | 1978 |
|
SU752472A1 |
МАГНИТНЫЙ НЕЙРОН | 2001 |
|
RU2199780C1 |
Способ записи импульсного излучения на магнитной пленке | 1975 |
|
SU540282A1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА | 2012 |
|
RU2522714C2 |
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ПОРОГОВЫЙ НАНОЭЛЕМЕНТ | 2008 |
|
RU2377704C1 |
Способ определения анизотропии тонких магнитных пленок и устройство для его осуществления | 1980 |
|
SU970286A1 |
Авторы
Даты
1975-03-05—Публикация
1973-06-29—Подача