Датчик магнитосопротивления Советский патент 1975 года по МПК G01R33/95 

1

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения параметров магнитного поля или в качестве чувствительного элемента в устройствах информационно-измерительной техники и автоматики.

Мзвестные датчики магнитосопротивления, в которых для уменьшения температурной погрешности и влияния разброса параметров материала четыре магниторезистора соединены в мостовую схему и расположены на одной подложке, отличаются трудностью экранирования двух магниторезисторов из четырех от действия магнитного ноля. Практически трудность заключается в балансировке схемы, так как введение дополнительных балансировочных элементов снижает термостабильность, с помон1,ью мостовой схемы невозможно получение высокой температурной стабильиостп.

Для упрощения конструкции, повышения термостабильности и надежности предлагаемый датчик выполнен в форме параллелепипеда, на четыре грапп которого нанесен слой магииторезистивпого материала с фасками на ребрах этих граней, деляш.их магииторезпстивный слой на равные части, и с металлическими контактами на двух других гранях датjnKa.

На чертеже показана конструкция предлагаемого датчика.

Датчик магнитосопротивления состоит из подложки 1 в форме параллелепипеда из ферродиэлектрика с нанесенным на четыре ее грани слоем магниторезистивного материала 2 и металлизацией 3. Четыре ребра граней имеют фаСки 4, благодаря которым грани с слоем магниторезистивного материала образуют

остовую схему.

Если датчик находится в магнитном поле так, что его вектор перпендикулярен одной из четырех рабочих граней, то при изменении величины индукции магнитного поля изменяется сопротивление только двух граней с слоем магниторезистивного материала. Сопротивление двух граней не изменяется, так как их плоскость параллельна вектору магнитного поля. Предлагаемая конструкция датчика иозволяет осуществить балансировку .вращением его вокруг своей оси симметрии, перпендикулярной двум граням со слоем магниторезистивиого материала, относительно вектора магнитного поля и имеет высокую термостабильность

и надежность, потому, что все элементы мостовой схемы выполнены из одного и того же материала за одну технологическую операцию нанесения магниторезистивного материала на подложку в форме параллелепипеда.

Предмет изобретения

Датчик магпитосопротивления, содержащий четыре мапшторезистора на подложке, включенные по мостовой схеме, отличающийс я тем, что, с целью упрощения конструкции повыщения термостабильности и надежности.

датчик выполнен в форме параллелепипеда, на четыре грани которого нанесен слой магниторезистивного материала с фасками на ребрах этих граней, делящих магниторезистивный слой на равные части, и с металлическими контактами на двух других гранях датчика.

.z

-1