Генератор Советский патент 1975 года по МПК H03K3/02 H03K1/16 

1

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в различных радиотехнических устройствах, например в качестве задающего генератора, частота следования импульсов которого управляется резистором.

Известен генератор, содержащий интегрирующую С-цепь, подключенную между шинами источника питания, р-п-р-транзистор, подсоединенный эмиттером к выходу / С-цепи, а базой - к резистивному делителю напряжения и коллектору первого п-р-/г-траизистора, база которого соединена с коллектором р-п-jt7-TpaH3HCTOpa, и второй п-р-/г-транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной.

Однако известное устройство обладает недостаточным коэффициентом перекрытия по частоте следования импульсов.

Целью изобретения является увеличение коэффициента перекрытия по частоте следования импульсов.

Для этого в генераторе второй п-р-птранзистор подключен коллектором через резистор к базе, а базой - к эмиттеру первого п-jE7-«-транзистора, подсоединенному через резистор к общей щине.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема генератора.

Генератор содержит три транзистора 1, 2,

3, интегрирующую цепь, образованную конденсатором 4 и резистором 5, делитель напряжения, состоящий из резисторов 6 и 7, резисторы 8.и 9.

Генератор работает следующим образом. В первый момент после подачи питания напряжение на конденсаторе 4 равно нулю. Напряжение на базе транзистора 1 равно напряжению, снимаемому с делителя, образованного резисторами 6 и 7. Это напряжение является запирающим для транзистора 1. Остальные транзисторы также будут закрыты. Напряжение на конденсаторе 4, возрастая

по экспоненциальному закону, стремится к уровню напряжения источника питания. Когда оно сравняется с напряжением, снимаемым с делителя на резисторах 6 и 7, транзистор 1 начнет открываться. При некотором

токе эмиттера транзистора 1 коэффициент усиления по петле, образованной транзисторами 1 и 2, превысит единицу. В результате возникающего при этом лавинообразного процесса транзисторы 1 и 2 перейдут в насыщенное состояние. Этому процессу соответствует передний фронт импульса. На процесс перехода транзисторов 1 и 2 из закрытого состояния в насыщенное транзистор 3 не оказывает никакого влияния, так как па этой

стадии он остается закрытым.

Транзисторы 1 и 2 поддерживаются в насыщенном состоянии разрядом конденсатора 4. В течение времени, когда тока разряда конденсатора 4 достаточно для удержания транзисторов 1 и 2 в насыщенном состоянии, формируется вершина импульсов. На этой стадии напряжение, снимаемое с резистора 8, велико, поэтому транзистор 3 открыт и насыщен. Резистор 9 через насыщенный транзистор 3 соединяется с общей точкой генератора, шунтируя входную цепь транзистора 2. Чтобы транзисторы 1 и 2 могли перейти из насыщенного состояния в закрытое необходимо, чтобы ток через хронирующий резистор 5 в этой фазе работы был недостаточен для насыщения транзисторов 1 и 2.

Шунтирование входной цепи транзистора 2 позволяет увеличить допустимый ток через резистор 5, т. е. позволяет снизить его минимально возможное сопротивление. По мере разряда конденсатора 4 ток эмиттера транзистора 1 стремится к току, текущему через резистор 5, и в некоторый момент времени транзисторы 1 и 2 выйдут из насыщения и коэффициент усиления по петле, образованной транзисторами 1 и 2, превысит единицу. В результате образующегося при этом лавинообразного процесса транзисторы 1, 2 и 3 перейдут в закрытое состояние. Этому процессу соответствует задний фронт импульса. Далее все процессы повторяются.

Предмет изобретения

Генератор, содержащий интегрирующую С-цепь, подключенную между щинами источника питания, р-я-р-транзистор, подсоединенный эмиттером к выходу 7 С-цепи, а базой - к резистивному делителю напряжения и коллектору первого п-р-п-транзистора, база которого соединена с коллектором р-п-р-транзистора, и второй п-р-я-транзиСтор, эмиттер которого соединен с общей щиной, отличающийся тем, что, с целью

увеличения коэффициента перекрытия по частоте следования импульсов, второй п-р-птранзистор подключен коллектором через резистор к базе, а базой - к эмиттеру первого п-р-ft-транзистора, подсоединенному

через резистор к общей шине.