Фантастронный генератор на двух транзисторах с взаимно-противоположным типом проводимости Советский патент 1975 года по МПК H03K4/50 

1

Изобретение относится к области радиоэлектроники и радиоизмерительной техники.

Известен фантастронный генератор на двух транзисторах с взаимно-противоположным типом проводимости, содержащий времязадающий конденсатор, интегрирующий и коммутирующий транзисторы, резистор связи и диодно-резистивные цепочки, недостатками которого являются нестабильность амплитуды и длительности генерируемого импульса.

Целью изобретения является стабилизация амплитуды и длительности генерируемого напряжения.

Для этого резистор связи включен между коллектором интегрирующего и базой коммутирующего транзистора, эмиттер которого соединен с общей точкой первой диодно-резистивной цепи, включенной между базой интегрирующего транзистора и минусом источника питания, а коллектор коммутирующего транзистора соединен с общей точкой второй диодно-резистивной цепи, включенной между обкладкой времязадающего конденсатора и шиной нулевого потенциала.

Схема фантастронного генератора представлена на чертеже.

Предлагаемый генератор содержит времязадающий конденсатор 1, элементы 2 и 3 первой диодно-резистивной цепи, образованной резистором 2 и диодом 3, интегрирующий транзистор 4, резистор 5, элементы 6 и 7 второй диодно-резистивной цепи, образованной резистором 7 и диодом 6, коммутирующий транзистор 8, резистор 9 связи, резисторы 10 и 11. Фантастронный генератор работает следующим образом. В процессе формирования прямого хода пилы времязадающий конденсатор 1 разряжается по цепи, состоящей из резистора 2, прямого сопротивления диода 3, внутреннего сопротивления источника питания, сопротивления промежутка эмиттер-коллектор интегрирующего транзистора 4 и резистора 5. Поскольку с диодно-резистивной цепи, образованной элементами 2 и 3, в цепь базы интегрирующего транзистора подано напряжение отрицательной обратной связи, то разряд времязадающего конденсатора осуществляется практически линейно и, следовательно, потенциал коллектора интегрирующего транзистора также будет изменяться по линейному закону. Поэтому линейно будет меняться и ток в цепях, образованных резисторами 5 и 11 и резисторами 9 и 10. Тогда ио мере возрастания потенциала коллектора интегрирующего транзистора потенциал базы коммутирующего транзистора 8 будет увеличиваться линейно, в то время как скорость возрастания потенциала эмиттера этого транзистора из-за нелинейности вольт-амперной характеристики

диода 3 окажется больше скорости увеличе