Дешифратор на цилиндрических магнитных доменах Советский патент 1975 года по МПК H03K13/247 

1

Предлагаемое изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются цилиндрические магнитные домены (ЦМД), для нредварительной логической обработки подлежащей хранению информации.

Известен дешифратор на цилиндрических магнитных доменах, содержащий магнитоодноосную пластину, на которой расположены (для N разрядного адресного слова) источников цилиндрических магнитных доменов, соединенных с 2- каналами продвижения последних, каждый из которых состоит из двух параллельных ветвей продвижения ЦМД (основной и дополнительной), образованных Ти 1-образиыми ферромагнитными аппликациями, аннигиляторов доменов, образованных Г-образными ферромагнитными аппликациями, 2N шин управления, каждая из которых соединена с выходом соответствующего разряда регистра адресного слова и образует в местах пересечения с основной ветвью продвижения доменов токовые ключи, служащие для перевода доменов из основной ветви в дополнительную ветвь продвижения ЦМД.

Однако известное устройство обладает следующими недостатками: все домены, перешедшие в дополнительные ветви продвижения ЦМД, продвигаются по ним через все устройство и только на выходе устройства аннигилируют- это существенно снижает надежность работы дешифратора, так как есть вероятность перехода домепов из донолнительных ветвей продвижения ЦМД в основные; использование дополнительных ветвей продвил ения ЦМД и аннигиляторов доменов значительно усложняет устройство.

Указанные недостатки устраняет предлагаемое изобретение.

Целью изобретения является упрощение и повышение надежности работы устройства.

Сущность изобретения заключается в том, что каждая Шина управления расположена

над вертикальными перемычками соответствующих Т-образных ферромагнитных аппликаций в каналах продвижения цилиндрических магнитных доменов.

На фиг. 1 изображена схема устройства;

на фиг. 2-13 показан полный цикл работы устройства.

Предлагаемое устройство содержит источники доменов 1-4, домен 5, каналы а, б, в, г продвижения доменов, шины управления 6-

9, шину управления 10 вводом доменов, прямоугольную ферромагнитную аппликацию 11, Т-образную ферромагнитную аппликацию 12, оконечную Т-образную ферромагнитную аппликацию 13, пластину 14 магнитоодноосного

кристалла, изолированные один от другого

проводники 15-18, опрашиваемый проводник 19, цепь 20 выделения сигнала, источник 21 импульсов опроса, цепь управления 22, устройство 23 поля подмагничивания, линии 24 и 25, вдоль которых ориентированы ортотональные катушки Гельмгольца, устройство 26, питающее катушки Гельмгольца и создающее магнитное поле, вращающееся в плоскости пластины кристалла (управляющее поле), и регистр 27 адресного слова.

Предлагаемое устройство выполнено следующим образом.

Система ферромагнитных аппликаций, составленная 1- и Т-образным« ферромагнитными аппликациями 11 и 12, а также ферромагнитными дисками Si-S4, каждый из которых является источником доменов 1-4, образуют каналы а, 6, в, г продвижения доменов. Эти аппликации помещаются на одну сторону пластины 14 кристалла. Изолированные один от другого проводники 15-18 и опрашиваемый проводник 19 охватывают петлями правые концы горизонтальных участков оконечных Т-образных аппликаций 13, которыми кончаются каналы продвижения ЦМД. Эти проводники совместно с шинами управления 6-10 помещаются на другую сторону пластины 19 кристалла. Проводники 15-18 подсоединяются к цепи 20 выделения сигнала относительно земли. Также относительно земли опрашиваемый проводник 19 соединен с источником 21 импульсов опроса. Цепь 20 и источник 21 подсоединены к цепи управления 22. Цилиндрические магнитные домены 5 реализуются в пластине 14 кристалла во внещнем магнитном поле, создаваемым устройством 23 поля подмагничивания. Управляющее поле создается катушками Гельмгольца, которые ориентированы вдоль линий 24 и 25. Устройство 26, питающее катушки Гельмгольца, и устройство 23 поля подмагничивания контролируются цепью управления 22, которая также управляет регистром 27 адресного слова и вводом доменов в каналы а, б, в, г их продвижения посредством управляющей щины 10. Регистр 27 адресного слова связан с шинами управления 6-9.

Устройство работает следующим образом.

Домепы 5 вводятся в каналы а, б, в, г их продвижения из источников доменов 1-4. Домены находятся в постоянном сцеплении с ферромагнитными дисками. С включением управляющего поля домены следуют за притягивающими полюсами по периметру диска и, когда поле будет ориентировано вправо, они занимают позицию под отростком диска (см. фиг. 2). Если по шине управления 10 пропускать ток, каждый из доменов разделяется на два домена (см. фиг. 3), один из когорых при дальнейщем вращении вектора поля продвигается по соответствующему каналу, а другой продолжает вращаться по периферии диска (см. фиг. 4).

Когда вектор управляющего поля ориентирован вверх (см. фиг. 5), притягивающие нолюсы расположены в центре Т-образных аппликаций, и домены смещаются к этой позиции. В зависимости от состояния триггера первого (старшего) разряда адресного слова импульсный ток коллапсирования протекает по одной из управляющих шин 8 или 9. Допустим, что в триггере старшего разряда записана «1, и ток i течет через шину 9. Тогда домены, продвигающиеся по каналам в к г (см. фиг. Ь), коллапсируют за счет градиентного магнитного поля, создаваемого импульсным током через шину 9. Оставшиеся два домена при дальнейшем вращении вектора управляющего поля продолжают продвигаться по каналам а и б (см. фиг. 7 - фиг. 9) и, когда вектор поля ориентируется вверх (см. фиг. 10), занимают позицию в центре следующих Т-аппликаций.

В зависимости от состояния триггера второго (младшего) разряда адресного слова импульсный ток коллапсирования пропускается

по одной из шин управления 6 или 7, связанных с этим триггером. Допустим, что в этом триггере записан «О и ток протекает по управляющей щине 7. Тогда домен, продвигающийся по каналу а (см. фиг. И), коллапсирует, а второй домен при дальнейщем вращении вектора управляющего поля продолжает продвигаться по каналу б (см. фиг. 12- 13). Домен продвигается в направлении выбранного канала при дальнейшем вращении

вектора поля до тех пор, пока он не достигнет сармой крайней позиции (правого конца горизонтального участка оконечного Т-элемента).

В каждый момент времени, когда вектор

поля сделает полный оборот и будет ориентирован вправо, источник 21 посылает импульс опроса в проводник 19 для коллапоирования домена, занимающего оконечную позицию одного из каналов продвижения ЦМД. Если домен находится в этой позиции, в соответствующем проводнике 15, 16, 17 или 18 индуцируется импульсный ток, который проходит к цепи выделения сигнала, информируя цепь управления 12 о том, какой из каналов продвижения ЦМД выбран.

Устройство имеет следующие преимущества: щины управления уничтожают домены вместо их перемещения в дополнительные каналы продвижения ЦМД, вследствие чего отпадает необходимость использования дополнительных ветвей продвижения доменов и аннигиляторов ЦМД, что значительно упрощает схему; число доменов, продвигающихся

по каналам, убывает с каждым тактом дешифрации в геометрической прогрессии, что существенно повыщает надежность работы устройства; отсутствие аннигиляторов доменов дает возможность более рационально использовать площадь кристалла.

(Предмет и з о -б ip е т е н и я

Дешифратор на цилиндрических магнитных доменах, содерл ащий магнитоодноосную пластину, на которой расположены 2 источников 1шли11дрических магнитных доменов, соединенных с каналами продвижения последних, образованными Т- и 1-образными ферромагнитными аппликациями, и 2,V шин

6

управления, каждая из которых соединена с выходом соответствующего разряда регистра адресного слова, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения надежности работы устройства, каждая шица управления расположена над вертикальными перемычками соответствующих Т-образных ферромагнитных аппликаций в каналах продвижения цилиндрических магнитных доменов. . I bJ-J EIE: .JElJrL- EZEZEjfc m... tJt h- h- h H .r iirLfc: .fc

h-hf-h h-J-J- l ЁЖЕ - HiIF EjF (M ..-.-.. .( J . J h- li.. s ItJfc „ bh|-h ЖЕЕ HEIiiJt Jfrr i- b- i-jFFg OE