Магнетрон поверхностной волны Советский патент 1975 года по МПК H01J23/04 H01J25/58 

(54) МАГНЕТРОН ПСВЕРХНОСТНОЙ ВОЛНЫ

Изобретение относится к приборам CQ4 -магнетроиного типа, в частности к магн&тронам поверхностной волны. j Известны магнетроны поверхностной , содержащие анод и катод, в которых

длина катода не превьпиает высоты анода.

Однако в этих приборах при напряжений, меньшем критического, имегт место само Произвольное открывание вследствие возбуж1 Дания продольн х колебаний электронами в i потенциальных siMax, образующихся в облао|тях, находящихся между торцовыми граница )ми пространственного заряда в катодными (концевыми екранами.

j Цель изобретения - устранить самопро. извольное открывание и повысить устойчн™ ;вость и надежность магнетрона. ; Это дЪстшгается увеличением длины эмитс тирующей части катода, выступающей за торны анодной системы, на величину, не менее чем на порядок превышающую зазор между катодом, и |анодн6й системой. При этом торцовые погтенциальные ямы оказываются удаленными от анода, а глубина их уменьшае1 ся, в результате чего продойЬ ные колебания возбудиться ни могут.

Формула нзобретениг

i..

, Магнетрон поверхностной волны, содер-. |жащий анодную резонаторную систему и ка тод, отличающийся тем, что, |С целью устранения самопроизвольного отУкрывания и повышения устойчивости и надеж.ости кедгнетрона, длина эмиттирующей части катода, выступающей за торцы анодной системы, превыща&т зазор между като 1дом и анодной системой «е менее чем на зарядок.