Устройство для получения высоковольтных импульсов Советский патент 1975 года по МПК H03K3/08 H02M5/00 

1

Изобретение относится к радиотехнике.

известно устройство для получения высоковольтных импульсов по авт. св. 5и1/Уб.

Цель изооретения - повышение экономичности устройства.

Для этого в предлагаемом устройстве параллельно диоду схемы умножения напряжения включены последовательно соединенные резистор и оазово-эмиттерный переход дополнительного транзистора.

Ма чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства.

Устройство содержит траизисторный коммутатор постоянного напряжения, в состав которого .входит мультивиОратор на транзисторах 1, 2, конденсаторах и, 4 и резисторах Ь, ь, транзисторы /, и, резисторы У, 10, конденсаторы 11, 12 и схема умножения напряжения на диодах 13-15 и конденсаторах 16-18.

Параллельно диоду 15 включены последовательно соединенные резистор 19 и базовоэмиттерный переход транзистора 20. На выходе включена нагрузка 21.

Устройство работает следующим образом.

При подключении источника питания мультивибратор самовозбуждается, и транзисторы 1, 8, 2, 7 попеременно открываются и закрываются. В один полупериод работы мультивибратора открыты транизсторы 1, 8 и закрыты транзисторы 2, 7, в другой полупериод - наоборот. Для ускорения открытия транзисторов 7, 8 параллельно базовым резисторам 9, 10 включены конденсаторы 11, 12. В тот полупериод работы мультивибратора, когда открыты транзисторы 2, 7 и закрыты транзисторы 1, и, конденсатор 16 через открытые транзисторы 2, 7 и диод 13 заряжается до напряжения источника питания. Во

второй полупериод, когда открыты транзисторы 1, 8 и закрыты транзисторы 2, 7, заряженный конденсатор 16 и источник питания соединяются последовательно через открытый транзистор 8 и через диод 14 заряжают конденсатор 17 до удвоенного напряжения источника питания и т. д.

В процесе работы устройства одновременно с транзисторами 2, 7 открываются диоды 13 и 15, а одновременно с транзисторами 1, 8 открывается диод 14.

В тот полупериод, когда открыты транзисторы 2, 7 и диод 15, транзистор 20 закрыт обратным смендение базово-эмиттерного перехода, создаваемым прямым падением напряжения на диоде 15. В тот полупериод, когда этот диод закрыт, к базово-эмиттерному переходу транзистора 20 через резистор 19 прикладывается в прямом направлении удвоенное напряжение источника питания с конденсатора 17. В результате этого транзистор 20