Термочувствительный мультивибратор Советский патент 1975 года по МПК H03K3/284 

(54) ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ МУЛЬТИВИБРАТОР

1

Изобретение относится к радиотехнике и может быть испопьзовано в устройс- вах преобразсжательной техники.

Известен термочувствительный мультивибратор, содержащий источник питания, резистор эмиттерной связи, два ключевых транзистора типа р-И-р, коллекторы которых через резисторы подключены к минусовой клемме источника ритания, хронирующий конденсатор, включенный между коллектором первого и базой второго ключевого транзистора, соединенной с коллектором разрядного транзистора типа п-р-п, эмиттер которого подключен к минусовой клемме источника питания, база - через переменный резистор к плюсовой клемме источника питания, а база первого ключевого транзистора через резисторы соединена с источником питания.

Однако известное устройс-гео имеет узкий температурный диапазон и низкую надежность запуска.

Цель изобретения - расширение темШёратурного диапазона устройства и повышение надежности его запуска.

Для этого в предлагаемое устройство введены дополнительные транзисторы тиg па p-rt-p н П-р-П, терморезистор, два резистора, два фотодиода, излучающий диод, который оптически связан с первым и вторым фотодиодами, анод второго из которых подкгаочен через резистор к минуQ совой клемме источника питания и к базе дополнительного транзистора типа р-л-р, коллектор которого соединен с анодом излучающего диода, который включен в змиттерную цепь второго ключевого тран-

5 зистора, с катодом первого фотодиода, одним выводом терморезистора и одним выводом резистора эмиттерной связи и эмиттером дополнительного транзистора типа ft-р-п, коллектор которого соединен

0 с эмиттером первого ключевого транзистора, база - с другим выводом терморезистора, анодом первого фотодиода и через резистор с минусовой клеммой источ:ника питания, плюсовая клемма которого

.соединена с катодом второго фотодиода.

эмиттером дополнительного транзистора типа p-tt-p и другим выводом резистора эмиттерной связи.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства.

Термочувствительный мультивибратор содержит источник питания (на чертеже не показан), подключенный к клеммам 1, 2, ключевые транзисторы 3, 4 типа р-й-р, кр ллек7Х)ры которь1х через резисторы 5, 6 соответственно соединены с минусовой

клеммой 1 источника питания. Хронирующи конденсатор 7 включен между коллектором транзистора 3 и базой транзистора 4, соединенной с коллектором разрядного транзистора 8 типа И-p-ft. Эмиттер транзистора 8 соединен с минусовой клеммой 1 источника питания, а база - через переменный резистор 9 с плюсовой клеммой 2 источника питания. База транзистора 3 через резисторы 1О и 11 соединена с клеммми 1, 2 источника питания.

Излучающий диод 12 оптически связан, с фотодиодами 13 и 14. Анод фотодиода 1 через резистор 15 соединен с минусовой клеммой 1 источника питания и с базой транзистора 16 типа р-П-р, коллектор которого соединен с анодом излучающего диода 12, включенного в эмиттерную цепь Ключевого транзистора 4, и с катодом фотодиода 13, одним выводом терморезистора 17 и одним выводом резистора 18 эмиттерной связи и эмиттером транзистора 19 типа n-p-fl, коллектор которого соединен с эмиттером ключевого транзистора 3. База транзистора 19 соединена с другим выводом терморезистора 17, анодо фотодиода 13 и через резистор 20 - с минусовой клеммой 1 источника питания.

Катод фотодиода 14, эмиттер транзистора 16 и второй вывод резистора 18 соединены с плюсовой клеммой 2 источника питания.

Мультивибратор работает следующим образом.

Длительность генерируемых импульсов. определяется значением разрядного тока, определяемого транзистором 8, и устанавливается переменным резистором 9 и остаточным напряжением на конденсаторе 7, зависящим от падения напряжения на транзисторе 19, которое зависит от падения напряжения на терморезисторе 17.и, следовательно, от значения температуры. При закрытом транзисторе 3 падение напряжения на транзисторе 19 близко к нулю, что дсх:тнгается применением фотодиода 13 и излучающего диода 12, вкшоченаого в |эмитч€ф1 ую аепь открытого транзистора 4.

Транзистор 16 при этом также закрыт, а падение напряжения на. резисторе 18 эмиттерной связи обеспечивает закрытое состояние транзистора 3. При поступлении на базу транзистора 3 отрицательного запухжающего импульса транзистор 3 отпирается, а транзистор 4 запирается. При этом тран2истор 16 отпирается и шунтирует ре шстор 18, что облегчает поддержание пере- . ходного процесса в схеме и режим ее включения. Падение напряжения на транзисторе при этом определяется исключительно значением сопротивлением терморезистора 17 а следовательно, температурой контролиру|емой среды. Транзистор 4 вновь открывается в тот момент, когда потенциал его базы относительно эмиттера будет примерно равен нулю. При этом на обкладках конденсатора 7 будет остаточное напряжение, равное падению напряжения на транзисторе 9.

Предмет изобретения

Термочувствительный мультивибратор, содержащий источник питания, резистор эмиттерной связи, два ключевых транзистора типа р-п-р, коллекторы которых через .резисторы подключены к минусовой клемме источника питания, хронирующий конденсатор, включенный между коллектором первого и базой второго ключевого транзистора, соединенной с коллектором разрядного транзистора, типа п-р-п эмиттер которого подключен к минусной клемме источника питания, база - через переменный резистор к плюсовой клемме источника питания, абаза первого ключевого транзистора через резисторы соединена с источником питания, отличающийся тем, что, с целью расщирения температурного дипазона и повыщения надежности запуска утройства, в него введены дополнительные транзисторы типа p-lt-p и ri-p-n,, терморезистор, два резистора, два фотодиода, излучающий диод, который оптически связан с первым и вторым фотодиодами, анод второго из которых подключен через резистор к минусовой клемме источника питания, и к базе дополнительного транзистора типа р-П-р, коллектор которого соединен с анодом излучающего диода, который включен в эмиттерную цепь второго ключевого транзистора, с катодом первого фотодиода, одним выводом терморезистора и одним выводом резистора эмиттерной связи и эмиттером дополнительного транзистора типа , коллектор которого соединен 1с эмиттером первого клиочевого транзистора, база - с другим выводом терморезис- тора, анодом первого фотодиода и через резистор - с минусовой клеммой источника питания, плюсовая клемма которого соеиинена с катодом второго фотодиода, эмиттером дополнительного транзистора типа р-It-p и другим вьтодом резистора эмиттериой связи