Тиристорно-магнитный импульсный модулятор Советский патент 1975 года по МПК H03K7/02 H03K3/57 

1

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в устройствах СВЧ.

Известен тиристорно-магнитный импульсный модулятор, содержащий источник питания, положительный полюс которого через ключевой элемент подсоединен к входу зарядной цепи, состоящей из диодов и зарядного дросселя, выход которой подключен к входу первого магнитного звена сжатия, содержащего последовательно соединенные разрядный дроссель, накопительный конденсатор, тиристор, первичную обмотку импульсного трансформатора, вторичная обмотка которого подключена к входу последующего магнитного звена сжатия.

Однако известное устройство обладает узким частотным диапазоном выходных импульсов.

Целью изобретения является расщирение частотного диапазона выходных импульсов.

Для этого база ключевого элемента, выполненного на п-р-п транзисторе, через резистор подключена к положительному полюсу источника питания, а через диод и коллекторноэмиттерный переход управляющего п-р-п транзистора соединена с общей точкой зарядного дросселя и накопительного конденсатора, причем в цепь базы вышеупомянутого управляющего транзистора включена цепь смещения, состоящая из последовательно соединенных стаоилитрона, резистора и диода, анод которого подключен к отрицательному полюсу источника питания, а катод через последовательно соединенные резистор и диод - к

общей точке одного из выводов накоп 1телы10го конденсатора с эмиттером управляющего транзистора, подк.поченным к базе этого трапзистора через диод защитной цепи, конденсатор которой подсоединен параллельно цепи

смещения базы управляющего транзистора.

На чертеже приведена нринципиальпая электрическая схема модулятора.

Тиристорно-магнитный импульсный модулятор содержит источник питания, подключаемый к клеммам 1 и 2, положительный полюс которого через ключевой элемент (транзистор) 3 нодсоединен к входу зарядной цени, состоящей из диода 4 и зарядного дросселя 5. выход которой подключен к входу первого

магнитпого звена сжатия, содержащего последовательно соединенные разрядный дроссель 6, накопительный конденсатор 7, тиристор 8, первичную обмотку 9 импульсного TpaHCcJJopматора 10, вторичная обмотка 11 которого

подключена к входу последующего магнитного звена 12 сжатия.

База ключевого элемента (транзистора п-р-п) 3 через резистор 13 подключена к иоложительному полюсу источника питания, а

через диод 14 и коллекторно-эмиттерный перг