Дробный детектор Советский патент 1975 года по МПК H03D3/10 

1

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться для преобразования частотно-модулированного сигнала в амплитудно-модулированный.

Известен дробный детектор с индуктивйо связью между .контурами, катушка связи которого соединена с общей шиной через резистор и с резистором сглаживающего фильтра, при этом между Конденсаторами и резисторами выходного фильтра включены симметрирующие резисторы.

В известном дробном детекторе при отклонении входной частоты на ±А/ от центральной частоты имеет место ухудшение подавления сопутствующей амплитудной модуляции, т. е. ухудшается помехозащищенность.

Цель изобретения - повышение помехоустойчивости.

Это достигается тем, что в предлагаемом детекторе в качестве одного из симметрирующих резисторов В ключен промежуток коллектор - эмиттер транзистора, база которого подключена к выходу сглаживающего фильтра.

На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого устройства.

Дробный детектор содержит первичный контур 1, вторичный контур 2, катушку связи 3 между контурами, соединенную с общей шиной через резистор 4, сглаживающий фильтр,

состоящий из резистора 5 и конденсатора б, детектирующие диоды 7 и 8, выходной фильтр, состоящий из конденсаторов У и Ш, резисторов И и 12 и накопительного конденсатора 13, симметрирующего резистора 14, транзистора 15, база которого соединена с выходом сглаживающего фильтра, эмиттер- с резистором 12, а 1 оллектор подключен к конденсатору 10.

Предлагаемый дробный детектор работает следующим образом.

Пусть в результате действия напрял ения входного сигнала в одном плече схемы, т. е. через одну половину катушки вторичного контура 2 и диод 8 протекает ток, равный /. При быстром увеличении амплитуды входного сигнала за счет наличия сопутствующей амплитудной модуляции благодаря накопительному конденсатору 13 больщой емкости

через переход коллектор - эмиттер транзистора 15 протекает ток 1(1+М), где М - глубина сопутствующей модуляции, а через резистор 11 течет ток, равный /. Входное сопротивление детектирующего диода 7 уменьщается, а детектирующего диода 8 увеличивается. Это приводит к неравенству амнлитуд напряжений на .половинках катуш-ки вторичного контура 2, что вызывает наличие напряжения на конденсаторе 6 отрицательной

величины по отношению к напряженпю, которое было на нем при отсутствии паразнтной амплитудной модуляции. Это напряжение подзапирает транзистор 15, что увеличивает сопротивление коллекторно-эмиттерного перехода и уменьшает ток через него, что равносильно увеличению входного сопротивления детектирующего диода 7 и возрастанию амплитуды на половинке «атушки вторичного контура 2, а следовательно, возвращению величины напряжения на конденсаторе 6 к исходному значению (т. е. к тому значению, которое было при отсутствии паразитной амплитудной модуляции). Это наиряжение снова воздействует на базу транзистора 15, тем самым изменяет величину сопротивления коллекторно-эмиттерного нерехода транзистора, т. е. уменьщает его.

Таашм образом, в схеме дробного детектора постоянно действует следящая за паразитной амплитудной модуляцией обратная связь, которая стремится к уменьщению этой амплитудной модуляции.

При расстройке от контрольной частоты дробный детектор работает аналогично и сохраняет подавительиые свойства паразитной амплитудной модуляции в полосе пропускания дробного детектора.

Предмет изобретения

Дробный детектор с индуктивной связью между контурами, катущ:ка связи которого соединена с общей щиной через резистор и с резистором сглаживающего фильтра, при

этом между конденсаторами и резисторами выходного фильтра включены симметрирующие резисторы, отличающийся тем, что, с целью повыщения помехоустойчивости, в качестве одного из симметрирующих резисторов включен промежуток коллектор - эмиттер транзистора, база которого подключена к выхОхТу сглаживающего фильтра.

//

/J

I

bj

1- ч ,.-

-.-li Lf