Генератор импульсов на однопереходном транзисторе Советский патент 1975 года по МПК H03K3/335 

открывает транзистор 3. Транзистор 3 насыщается током первой базы транзистора 1. Напряжение на коллекторе насыщенного транзистора 3 близко к нулю. Такое же напряжение на аноде диода 5. Напряжение на катоде этого диода положительно и равно напряжению на эмиттере транзистора 1. Поэтому диод запирается. Зарядный ток, ранее поступавщий в цепь конденсатора 4, теперь замыкается через насыщенный транзистор 3. Эмиттерный ток транзистора 1 определяется в этом случае только током разряда конденсатора 4. По -мере разряда конденсатора этот ток уменьшается. Когда он достигает величины выключения, транзистор I лавинно выключается. Падение напряжения на резисторе 2 резко уменьщается, транзистор 3 выходит из насыщения и запирается.

При запертых транзисторах 1 и 3 начинается новый цикл заряда конденсатора и процессы в генераторе повторяются.

Ток заряда конденсатора 4 может превышать ток выключения транзистора 1 и это не нарушает работоспособности генератора.

так как на время формирования импульса зарядный ток щунтируется транзистором 3 и не поступает в эмиттерную цепь транзистора 1.

Формула изобретения

Генератор импульсов на однопереходном транзисторе, содержащий времязадающие резистор :И конденсатор и биполярный транзистор п-р-л-типа, база которого соединена с первой базой однопереходного транзистора, эмиттер - с общей щиной источника питания, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона перестройки частоть повторения импульсов и снижения мощности рассеяния на биполярном транзисторе, в схему генератора между времязадающими резистором и конденсатором введен диод в проводящем направлении относительно тока источника питания, причем анод диода дополнительно соединен с коллектором биполярного транзистора, а катод - с эмиттером однопереходного транзистора.

,

|

BbJXod