Способ измерения скорости поверхностной рекомбинации носителей тока полупроводников Советский патент 1975 года по МПК H01L21/66 G01R31/26 

;:,ости магнитного поля Н н напра перпендикулярио к граняь (скорость : Отной рекомбинации на одной из :.:;,летс5:, а на противоположной соэзяасть с большой скс.--остью реком ;.:, у граней происходн-г откла;Nvi4HHbi концентрации носителей от : ;ной. Вежг-шка от;с-юнеь;1Я, MatCK- ча гранях, экспокеЕцкально ; мень образца с ггостокк с бипопяриой диффузии. ilpK рассго ::0iy протаьоЕоложнымк граягяадв Я ----:;ревыша1ошем длиьу биполярной Дйф- орость паверхностяой рехомбянацнй ,; .з гракэй, определяющая вместе . :ш, параметрами поАупроводншса ,.:: .тиной силы Лоренца величину от- концентрации от равновесной, ке V, ка изменение концентрации носите: :-,;:гивоположной грани. Создание об: схльшо скоростью рекомбинации :: приводит к TOiviy, что вследствие У-Х.ЗЙ генерации и рекомбинации на ;,.,:; ч;1 отклоиение аеличинь концентра-:ч1:злей от равновесной не происхо- ::йзуль гате этого изменение сопро- :я образца определяется гредням из- ::.v; лСонцентрации носителей у- проти. грани с измеряемой скоростью . ос-л;.;ой рекомбииащ-га. Величина из:;, ::;с17р{-тмвления Лл однозначно свя™ С: измеряемой скоростью поверхноса-; -;оиби:-;ацли Н определяется по форму С « АЖ 5 ОТКЗДК fj Р тидпение сбразп э отсVТОТ полк; . по с ); о я и Н ь е, О п р е д е j i я е мы е :гарпметрг1ми Олу1нх 1с. и О 1чэрг1, Таким образом, в предлагаемом способе обеспечено непосредственное измерение а5-. солкугного значения скорости поверхностной рекомбинации, что значительно упрощает технику измерения и повышает его точность. Предмет изобретения Способ измерения скорости поверхностЕой рекомбинацик носителей тока попупро8ОДКИКОВ путем пропускания через прямо угопьщЮ полупроводниковую пластину, помещенную в магнитное поле эпектрического тока, и измерения сопротивления, отличающийся тем, что, с целью повышения точности Iji упрощения измерения, пластину изготавливают толщиной, большей длины биполярной диффузии носителей, а на грани, противоположной грани с измеряемой скоростью поверхностной рекомбинации, создают область с большой скоростью рекомбинации носителей, после чего о величине измеряемой скорости поверхностной рекомби- нации носителей тока Судят по изменению сопротивления образца согласно (}юрмуле где S - величина измеряемой скорости поверхностной рекомбинации; Л - сопротивле(ние образце в отсутствне магнитного поля; У - сила электрического тока через образец; - напряженность магнитного поля; изменение сопротивления образмагнитном поле; и о - постоянные.