Микрополосковый направленный ответвитель Советский патент 1983 года по МПК H01P5/18 

Изобретение относится к радиоизмерительной технике сверхвысоких частот. Известен микрополосковый направленный ответвитель, содержащий два связанных проводника, расположенных на поверхности диэлектрической подложки, заземленньп корпус и незазем ленную, металлическую пластинуо Однако известное устройство имеет недостаточную направленность Цель изобретения - увеличение направленности Для зтого в предлагаемом ответвителе незаземленная пластина расположена на поверхности диэлектрической подложки, обращенной к корпусу, а зазор между нею и корпусом заполнен диэлектриком с диэлектрической про- шцаемостью, меньшей диэлектрической проницаемости подложки. На чертеже изображен предлагаемы микрополосковый направленный ответв тель. Два связанных проводника 1 и 2 расположены на поверхности диэлект3рической подложки 3, которая размещена над заземленным корпусом 4. На поверхности диэлектрической подложки 3, обращенной к корпусу 4, расположена незаземленная пластина 5 о Зазор 6 между пластиной 5 и корпусом заполнен диэлектриком, диэлектрическая проницаемость которого меньше диэлектрической проницаемости подложки 3„ Ответвитель работает следующим образом. При четном возбуждении проводников 1 и 2 незаземленная пластина 5 практически не оказывает влияния на распределение силовых линий электрического поля, так как она располагается в одной из эквипотенциальных плоскостей,. При нечетном возбуждении проводников 1 и 2 пластина 5 приобретает потенциал корпуса 4, поэтому пластина 5 частично перекрывает находящийся под ней воздушный зазор 6 о

МЙКРОПОЛОСКОВЬЙ^ НАПРАВЛЕННЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, содержащий два свя- •занных проводника, расположенных на поверхности диэлектрической подложки, заземленный корпус и незаземленную металлическую пластину, отличающийся тем, что, с целью увеличения направленности, незаземленная пластина расположена на поверхности диэлектрической подложки, обращенной к корпусу, а зазор между нею и корпусом заполнен диэлектриком с диэлектрической проницаемостью, меньшей диэлектрической проницаемости подложки.^(ЛЖчух-^чуучч^« 5 Ч^со о со со со