Устройство для получения низкотемпературной плазмы Советский патент 1975 года по МПК H05H1/00 

Описание патента на изобретение SU492059A1

1

Изобретение предназначено для создания однородной низкотемпературной плазмы в потоке газа в частотном режиме в особеьи-юст : для ипицннровання плазм-химических реакций, оно может быть применено также в газоразрядиых лазерах.

Известно устройство для получения низкотемпературной плазмы, выполненное в внде нроточной газовой камеры, содержащей расиоложениые па торцевых плоскостях отверстия для входа п выхода газа, основные и вспомогательные электроды.

В этом устройстве основные электроды представляют собой две гладкие металлические болванка с закругленными но профилю Роговского краями п расположены так, что основной разряд горит поперек потока газа. Вспомогательные электроды расположены на iitKOTopoM расстоянии от основных с одной или с обеих сторон от них и подключены через конденсаторы к основным.

Однако при использовании известного устройства невозможно нри определенной скорости потока увеличить частоту повторения импульсов выше некоторого предела. Этот предел обусловлен двумя причинами.

Первая - это нагрев газа ударными волнами. В момент импульсного разряда в разрядной области возникают ударные волны, распространяющиеся вверх и вниз по поюку, на2

гревая, в частности, ту порцию газа, которая выносится потоком в межэлектродную область к моменту следующего разряда. 11роксходящее накопление тепла от импульса к импульсу приводит к иагреву газа в разрядно11 области до температур, ири которых генерация лазера неэффективна, либо прекращается. Нагрев газа приводит также к образованию дуги вследствие тепловой неустойчивости низкотемпературной плазмы.

Вторая причина - налнчке градиента температуры газа, направленного по потоку газа перед разрядо.м. Неоднородность температурного распределения по сечению разряда приводит к неустойчивому состоянню разряда с преимущественным дугообразованием на краях злектродов, у которых температура газа выше. Необходи:1Ю длительное время продувать разрядную область иотоком газа, чтобы градиент температуры газа стал настолько мал, что не оказывал бы влияния на однородность пробоя разрядного промежутка. Это ограничивает частоту следования импульсов.

Целью предполагаемого изобретения является увеличение частоты повторения разряда.

Это достигается тем, что в предлагаемом устройстве осповные электроды вьшолиены в виде решеток, закрывающих отверстие для Б.хода и выхода газа, причем решетка элект

Похожие патенты SU492059A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИНИЦИИРОВАНИЯ ВОСПЛАМЕНЕНИЯ, ИНТЕНСИФИКАЦИИ ГОРЕНИЯ ИЛИ РЕФОРМИНГА ТОПЛИВОВОЗДУШНЫХ И ТОПЛИВОКИСЛОРОДНЫХ СМЕСЕЙ 2005
  • Стариковский Андрей Юрьевич
RU2333381C2
ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕР 1997
  • Осипов В.В.
  • Иванов М.Г.
RU2148882C1
СПОСОБ ОЧИСТКИ, ДЕСТРУКЦИИ И КОНВЕРСИИ ГАЗА 2011
  • Коссый Игорь Антонович
  • Анпилов Андрей Митрофанович
  • Бархударов Эдуард Михайлович
  • Грицинин Сергей Иванович
  • Давыдов Алексей Михайлович
  • Тактакишвили Мераб Иванович
  • Двоенко Александр Вилорьевич
  • Хабеев Ренат Рушанович
RU2486719C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ОБЪЕМНОГО РАЗРЯДА В ИМПУЛЬСНО-ПЕРИОДИЧЕСКОМ ГАЗОВОМ ЛАЗЕРЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ 2002
  • Великанов С.Д.
  • Запольский А.Ф.
  • Ковалев Е.В.
  • Кодола Б.Е.
RU2236074C2
Способ подавления неустойчивостей оптического разряда 2020
  • Соловьев Николай Германович
  • Шемякин Андрей Николаевич
  • Якимов Михаил Юрьевич
RU2735948C1
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НЕРАВНОВЕСНОЙ СВЧ-ПЛАЗМЫ В ГАЗАХ ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ 1999
  • Лысов Г.В.
RU2166240C2
Устройство и способ избавления от неустойчивостей оптического разряда 2020
  • Соловьев Николай Германович
  • Шемякин Андрей Николаевич
  • Якимов Михаил Юрьевич
RU2738463C1
УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ГЕНЕРАЦИИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ 2019
  • Хинкис Александр Викторович
  • Чаплик Никита
RU2758279C2
ЭЛЕКТРОРАЗРЯДНЫЙ ИМПУЛЬСНО-ПЕРИОДИЧЕСКИЙ ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕР 1991
  • Павлишин Игорь Витальевич
  • Балошин Юрий Александрович
RU2025009C1
Устройство и способ устранения неустойчивостей оптического разряда 2020
  • Соловьев Николай Германович
  • Шемякин Андрей Николаевич
  • Якимов Михаил Юрьевич
RU2738462C1

Иллюстрации к изобретению SU 492 059 A1

Реферат патента 1975 года Устройство для получения низкотемпературной плазмы

Формула изобретения SU 492 059 A1

SU 492 059 A1

Авторы

Баранов Владимир Юрьевич

Борисов Владимир Михайлович

Малюта Дмитрий Дмитриевич

Низьев Владимир Григорьевич

Даты

1975-11-15Публикация

1974-07-12Подача