Однокомпонентный датчик градиента магнитного поля Советский патент 1975 года по МПК G01R33/07 

1

Изобретение относится к области магнитных измерений и может быть использовано для измерения локальных .градиентов магнитного ноля, В частности при исследовании доменной структуры.

Известен датчик градиента магнитного поля, содержащий подложку с полупроводниковым элемептом.

Однако, такой датчик имеет достаточно высокий нулевой сигиал, порождаемый неодинаковостью датчиков, и достаточно малую разрешаюпцую способность.

Целью изобретения является уменьшение нулевого сигнала и увеличение разрешающей снособности.

Поставленная цель достигается с помощью того, что полупроводниковый элемент предлагаемого датчика имеет Н-образную форму.

На чертеже представлена схема предлагаемого датчика.

Датчик состоит из подложки 1, на которой расположен полупроводниковый элемент 2,

имеющий Н-образную форму, с токовыми электродами 3 и выходными электродамн 4.

Датчик работает следующим образом.

При помещении датчика в исследуемое магнитиое иоле на боковых гранях его половин появляется э.д. с. Холла. Если через половииы датчика протекают встречные токи, то на выходных электродах 4 элемента 2 появляется э.д. с., пропорциональная градиенту магнитного ноля. Так как датчик изготавливается из одного кристалла в едином технологическом цикле, то нулевой сигнал его минимален.

Фор м у л а изобретения

Однокомнонентный датчик градиента магнитного поля, содержащий подложку с полуироводниковым элементом, отличаю щ и и с я тем, что, с целью уменьцгения нулевого сигнала и увеличення разрешающей способности, полупроводниковый элемент имеет П-образную форму.