Термотранзистор Советский патент 1978 года по МПК H01L29/66 

Изобретение относится к приборам для измерения градиента температуры и может быть использовано для регистрации тепловых потоков и энергии различ ных излучений. В настоящее время для измерений гра диента температур, разности температур применяют теЕ 1отранзисторы, у которых используется температурная чувствитель ность р-itv-перехода. Однако такие термотранзисторы имеют относительно малую тетлпературную чувствительность и большую тепловую постоянную времени. Для повышения температурной и вольт ваттной чувствительности, а также пО нижения тепловой постоянной времени термотранзистор предлагается изготовлять на основе термоэлектрически анизотроцных полупроводниковых монокристаллов с использование является поперечной термо ЭДС. На фиг. 1 схематически изображен описываемый термотранзистор; на фиг.2 включение термотранзистора в схему с общим змиттерсм. Термотранзистор изготовлен из термозлектрически анизотропного монокристалла в виде прямоугольной пластинки 1, на торцах который созданы змиттерный 2 и коллекторный 3 js-n-переходы. Термоэлектрически анизотропный монокристалл кристаллографически ориентирован относительно р-п-переходов таким обра зон, что возникающее в нем поперечное термоэлектрическое поле направлено перпендикулярно плоскости р-п - переходов. Расмотрим монокристалл, в котором термо ЭДС вдоль кристаллографического направления «А„ ) отличается от термо ЭДС в перпендикулярном направлении ( o4j ) . Если вырезать пластинку из такого монокристалла под углом .f к этому кристаллографическому направлению, то при наличии градиента температуры под углем 90 - f к этому направлению возникает поперечное по отнсяаению к градиенту температуры термоэлектрическое поле. Величина возникающей термо ЭДС определяется)формулой Томсона E.(«(,)Il. bin о.. Таким образом, ЭДС, возникающая в базовой области под действием градиента температуры, определяется анизотропией термо ЭДС, размерами базовой области и пропорционально градиенту температуры. Возникающее поперечное