Радиочастотный триггерный и логический элемент Советский патент 1976 года по МПК H03K19/20 

1

Изобретение относится к области имнульсной техники.

Известен радиочастотный триггерный и логический элемент, содержащий диоды, резисторы, конденсаторы, транзистор и шины управления.

Для повышепия надежности работы элемента предлагаемое устройство снабжено паралле.льным колебательным контуром, включенным между обигей mnnoii и базой транзистора, соединенной с источником питания неременного нанряжения делителем, состоящим из двух последовательно включенных резисторов, средняя точка которых соединена через конденсатор с коллектором транзистора, а эмиттер транзистора через резистор и диоды, включенные в прямом и обратном направлении, соединен с шинами управления.

На фиг. 1 изображена схема предлагаемого элемента; на фиг. 2 - его частотная характеристика.

В радиочастотном триггерном и логическом элементе (фиг. 1) транзисторный преобразователь с емкостной нагрузкой 1, выполненный на биполярном транзисторе 2, включен по схеме с общим эмиттером. Источник переменного напряжения питания U-a высокой частоты подключен к коллектору через резистор 3 и конденсатор 1 и базе транзистора 2, соединенной с контуром 4, 5, входян.|,им в делитель

из резисторов 3, 6 и контура 4 и 5. Входное постоянное или переменное . напряжение t/o подается через диод 7 на делитель 8, 9, 10, включенный в эмиттерную цепь, и расширяет

полосу пропускания элемента, а напряжения , 2, z, приложенные к тому же делителю через диоды II, 12, 13, уменьщают полосу пропускания.

При подключенин нанряжения f/n-, величипа которого выше порога отпирания транзистора 2, а частоты входят в полосу пропускания контура 4, 5, транзистор отпирается. В момент отиирания транзистора входное сопротивление транзисторного каскада становится нелинейным, причем составляющими его компонентами являются: отрицательное активное сопротивление, нелинейная емкость и нелинейная индуктивность. Отрицательное входное сопротивление значительно увеличивает-добротность контура, что ведет к еще большему увеличению входного сигнала и отниранию транзистора. Увеличение нанряжения на контуре t/Бых. i продолжается вплоть до насыщения транзистора

2. Собственная добротность LC-контура может быть малой, и это не изменяет качественных характеристик элемента. Нелинейные емкость и индуктивность деформируют частотную характеристику устройства (фиг. 2, характеристика 3).