Устройство для измерения температуры Советский патент 1976 года по МПК G01K7/22 

1

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к. устройствам для изме.рения температуры с полупроводниковыми термочувствительными элементами.

Известно устройство для измерения температуры, в котором в качестве термочувствительного элемента используется полупроводниковый диод, смещенный в прямом направлении 2J.

Устройство имеет низкую чувствительность, так как температурный коэффициент напряжения прямосмеш,енного р-я-перехода имеет небольшую величину.

Известно также устройство для измерения температуры, в котором в качестве термочувствительного элемента используется ряд пря.мосмещенных эмиттер-базовых переходов многоэмиттернои транзисторной структуры 3J.

Ь этом устройстве благодаря использованию нескольких эмиттер-базовых переходов чувствительность несколько повышается.

Наиболее близким из технических решений является устройство для измерения температур, содержаш,ее термочувствительный обратносмеш,енный диод, подключенный к входу транзисторного усилителя, включенного по схеме с обш,им эмиттером 1.

Термочувствительным параметром в этом устройстве является обратный токр-я-перехода.

2

еличина которого сильно зависит от темпеатуры, а следовательно, чувствительность устройства выше. Величина обратного тока р-я-перехода соизмерима с током утечки, который во времени и от образца к образцу может изменяться в значительных пределах, что приводит к понижению стабильности коэффициента преобразования термочувствительного элемента, а,

следовательно, и точности измерения.

С целью повышения коэффициента преобразования термочувствительный обратносмещенный диод выполнен в виде одного из эмиттербазовых переходов двухэмиттерный транзисторной структуры, причем обратное смещение на этот переход подано через дополнительный резистор, а транзисторный усилитель выполнен на прямосмещенном эмиттер-базовом переходе и коллекторе транзисторной

структуры.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства для измерения температуры, в котором в качестве многоэмиттернои транзисторной структуры используется микросхема типа КТ-118.

Устройство состоит из термочувствительного элемента 1 и усилителя 2. Термочувствительный элемент 1 выполнен на обратносмеш,енно:м эмиттер-базовом переходе микросхемы 3. Последовательно с эмиттером этого пе