Полупроводниковый преобразователь изображения Советский патент 1985 года по МПК H01L31/14

Описание патента на изобретение SU528824A1

Похожие патенты SU528824A1

название	год	авторы	номер документа
Преобразователь изображения	1975	Бродзели М.И. Ковтанюк Н.И. Полян Р.А. Сихарулидзе Д.Г. Чавчанидзе В.В. Чилая Г.С.	SU580778A1
Полупроводниковый оптоэлектронный преобразователь изображения	1973	Бродзели М.И. Чавчанидзе В.В. Ковтонюк Н.В. Полян Р.А. Сихарулидзе Д.Г.	SU506243A1
Способ регистрации световых импульсов	1977	Гольбрайх Н.И. Кравченко А.Б. Плотников А.Ф. Шубин В.Э.	SU608383A1
ПОЛЕВОЙ НАНОТРАНЗИСТОР	2003	Настаушев Ю.В. Наумова О.В. Попов В.П.	RU2250535C1
ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ СО СТРУКТУРОЙ ПРОВОДЯЩИЙ СЛОЙ-ДИЭЛЕКТРИК-ПРОВОДЯЩИЙ СЛОЙ	2007	Орликовский Александр Александрович Бердников Аркадий Евгеньевич Мироненко Александр Александрович Попов Александр Афанасьевич Черномордик Владимир Дмитриевич	RU2376677C2
Светочувствительный материал	1976	Петров В.В. Крючин А.А.	SU764501A1
Жидкокристаллический преобразователь изображения	1980	Берестнев С.П. Васильев А.А. Думаревский Ю.Д. Ковтонюк Н.Ф. Компанец И.Н. Парфенов А.В. Попов Ю.М. Фабричнов А.В.	SU858450A1
ЭЛЕКТРОННАЯ СХЕМА И/ИЛИ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКАЯ СИСТЕМА С РАДИАЦИОННЫМ ИСТОЧНИКОМ ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА	2012	Зеленцов Александр Владимирович Клочков Анатолий Яковлевич Левин Алексей Михайлович	RU2511614C2
Способ получения потенциального изображения	1990	Белов Владимир Григорьевич Иванов Владимир Анатольевич Козловский Владимир Сергеевич	SU1797089A1
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ РАБОТОЙ МЕМРИСТИВНОЙ КОНДЕНСАТОРНОЙ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК	2018	Тихов Станислав Викторович Антонов Иван Николаевич Белов Алексей Иванович Горшков Олег Николаевич Михайлов Алексей Николаевич Шенина Мария Евгеньевна Шарапов Александр Николаевич	RU2706197C1

Реферат патента 1985 года Полупроводниковый преобразователь изображения

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ на основе многослойной структуры металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл,полупроводниковый слой которой выполнен из высокоомного материала с концентрацией свободных носителей не более 10'^ см'' отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия и коэффициента, усиления изображения, между слоями полупроводника и диэлектрика расположен излучающий электроннодырочный переход, толщина которого больше диффузионной длины неравновесных носителей .//^//" /^ / /i(Лссд ю0000ND•и»

SU 528 824 A1

Авторы

Бродзели М.И.

Ковтанюк Н.Ф.

Полян Р.А.

Сихарулидзе Д.Г.

Чавчанидзе В.В.

Даты

1985-08-30—Публикация

1975-07-17—Подача