пластины, а шины записи и опроса прошиты через соответсвующие- отверстия всех фер- ритовых пластин в одном направлении,
На чертеже дана принципиальная схема описываемого запоминающего устройства. Устройство содержит ферритовые пластины 1, прошитые шинами 2 опроса, выходными шинами 3, подключенными к усилителям 4 воспроизведения, шинами 5 записи, шинами 6 запрета, подключенными к формирователям 7 тока запрета, и блоки 8 выборки адресных шин опроса и записи
Через выбранную запоминающую ячейку пластины 1 по шине 2 опроса пропускается ток опроса, который считывает хранящуюся в ячейке информацию, пере1шючая магни- ный поток вокруг отверстия опроса. Переключение магнитного потока происходит через перемычку, расположенную между отверстиями опроса и записи, а также через перемычку, расположенную между ребром пластины и отверстием записи.
В момент переключения потока в выходной шине 3 наводится считанный сигнал, который поступает на вход усилителя 4. Затем по шине 5 записи поступает ток записи, который переключает магнитный поток вокруг отверстия записи, восстанавливая исходное состояние ячейки, существовавшее при записи единичной информации,, В том случае, когда необходимо записать нулевую информацию, по шине 6 запрета пропускается ток запрета формирователя 7, который компенсирует действия тока записи на запоминающую ячейку и она сохраняет состояние, установленное током опроса,
С помощью блоков 8 выборки адресных шин выбирают следующую пару шин опроса и записи, и операции считывания и записи повторяются в другой запоминающей ячейке пластины 1. В момент прохождения считанной нулевой 1ши единичной информации по шине 3 на нее воздействуют помехи, наводимые сигналами, действующими в самом устройстве и за его пределами Эти помехи могут исказить сигналы нуля и единицы что может нарушить работу устройства. Выполнение выходной шины 3 в виде бифилярного соленоида, когда прямой и обратный проводники проходят в непосредственной близости один от другого и от поверхности пластины 1, сводит эти помехи к неопасной для работы устройства величине.
Это достигается экранирующим действием ферритовой пластины и TeMj что градиен поля наводок достаточно мал в небольшом объеме пространства, в результате чего на прямом и обратном проводниках наводятся практически одинаковые по величине паразитные сигналы, направленные встречно в контуре выходной шины 3.
Аналогичные процессы устраняют наводки от шин 6 запрета и предотвращают взаимное влияние друг на друга одноименных рарядных шин.
Расположенные параллельно и имеющие большие по площади контуры шины опроса 2 и записи 5 пронизывают пакет ферритовых пластин 1 в одном направлении. Взаимные наводки, возникающие в этих шинах, на работу устройства не алияют, так как эти шины предназначены для пропускания больших по величине токовых сигналов и при работе одной из них контуры других находятся практически в разомкнутом нерабочем состоянии.
Выходные шины 3 и шины 6 запрета пропущены через нечетные отверстия пластин 1; что практически исключает возможность разрушения информации в невыбранной ячейке памяти при воздействии на соседние нечетные ячейки токов опроса, записи и запрета
Прошивка Б четных отверстиях отсутствует, а прилежа.щие к ним области ферритовой пластины не предназначе;1Ы для хранения информации Захват этих областей потоком переключаюцейся ячейки не влияет на информационное состояние пластины.
Таким образом, разграничение информаHHOHiibix областей соседних ячеек четными отверстиями приводит к резкому увеличению магнитного сопротив,иения этими областями и предотвращает взаимный захват и перераспределение их магнитных потоков. Это обстоятельство дает возможность не ограничивать сверху величину упраапяющих токов, что. в CBQPJ очередь, позволяет резко снизить требования к стабильгности источников питания, к разбросу параметров комплектующих элементов; формировать переключение запоминающих ячеек и расширить температурный диапазон работы устройства.
Фор м у л а и 3 о б р е
н и я
Запоминающее устройство, содержащее ферритовые апастины с отверстиями записи к опроса; выходные шины к шины запрета, выполненные в виде бифиляриых соленоидов, шины записи и опроса, о т л и чающееся тем., что, с целью упрощения и повышения надежности устройства, выходные шины и шины запрета прошиты соответственно через все нечетнь е отверстия опроса и записи каждой зерритовой пластины, а шины записи и опроса прошиты через соответствующие отверстия всех ферритовых пластин в одном направленнк.
Источники инфор.гч ации5 принятые во внимание при экспертизе; 1. Авторское свидетельство СССР № 326803. М. Кл. G 11 С 11/08, приоритет 10.04.1972 г. 529482 2о Авторское свидетельство СССР «fo gfsS-.f ----
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
НАКОПИТЕЛЬ | 1973 |
|
SU378951A1 |
Магнитное запоминающее устройство | 1974 |
|
SU532132A1 |
Магнитный запоминающий элемент | 1975 |
|
SU610173A1 |
МАГНИТНЫЙ ДЕШИФРАТОР | 1970 |
|
SU262967A1 |
Логическое программное устройство | 1974 |
|
SU522522A1 |
Накопитель | 1973 |
|
SU474846A1 |
МАГНИТНОЕ ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1970 |
|
SU283308A1 |
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1970 |
|
SU275139A1 |
Магнитно-полупроводниковый элемент | 1982 |
|
SU1064433A1 |
БУФЕРНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1972 |
|
SU341083A1 |
Авторы
Даты
1976-09-25—Публикация
1975-02-28—Подача