Запоминающее устройство Советский патент 1976 года по МПК G11C11/08 

Описание патента на изобретение SU529482A1

пластины, а шины записи и опроса прошиты через соответсвующие- отверстия всех фер- ритовых пластин в одном направлении,

На чертеже дана принципиальная схема описываемого запоминающего устройства. Устройство содержит ферритовые пластины 1, прошитые шинами 2 опроса, выходными шинами 3, подключенными к усилителям 4 воспроизведения, шинами 5 записи, шинами 6 запрета, подключенными к формирователям 7 тока запрета, и блоки 8 выборки адресных шин опроса и записи

Через выбранную запоминающую ячейку пластины 1 по шине 2 опроса пропускается ток опроса, который считывает хранящуюся в ячейке информацию, пере1шючая магни- ный поток вокруг отверстия опроса. Переключение магнитного потока происходит через перемычку, расположенную между отверстиями опроса и записи, а также через перемычку, расположенную между ребром пластины и отверстием записи.

В момент переключения потока в выходной шине 3 наводится считанный сигнал, который поступает на вход усилителя 4. Затем по шине 5 записи поступает ток записи, который переключает магнитный поток вокруг отверстия записи, восстанавливая исходное состояние ячейки, существовавшее при записи единичной информации,, В том случае, когда необходимо записать нулевую информацию, по шине 6 запрета пропускается ток запрета формирователя 7, который компенсирует действия тока записи на запоминающую ячейку и она сохраняет состояние, установленное током опроса,

С помощью блоков 8 выборки адресных шин выбирают следующую пару шин опроса и записи, и операции считывания и записи повторяются в другой запоминающей ячейке пластины 1. В момент прохождения считанной нулевой 1ши единичной информации по шине 3 на нее воздействуют помехи, наводимые сигналами, действующими в самом устройстве и за его пределами Эти помехи могут исказить сигналы нуля и единицы что может нарушить работу устройства. Выполнение выходной шины 3 в виде бифилярного соленоида, когда прямой и обратный проводники проходят в непосредственной близости один от другого и от поверхности пластины 1, сводит эти помехи к неопасной для работы устройства величине.

Это достигается экранирующим действием ферритовой пластины и TeMj что градиен поля наводок достаточно мал в небольшом объеме пространства, в результате чего на прямом и обратном проводниках наводятся практически одинаковые по величине паразитные сигналы, направленные встречно в контуре выходной шины 3.

Аналогичные процессы устраняют наводки от шин 6 запрета и предотвращают взаимное влияние друг на друга одноименных рарядных шин.

Расположенные параллельно и имеющие большие по площади контуры шины опроса 2 и записи 5 пронизывают пакет ферритовых пластин 1 в одном направлении. Взаимные наводки, возникающие в этих шинах, на работу устройства не алияют, так как эти шины предназначены для пропускания больших по величине токовых сигналов и при работе одной из них контуры других находятся практически в разомкнутом нерабочем состоянии.

Выходные шины 3 и шины 6 запрета пропущены через нечетные отверстия пластин 1; что практически исключает возможность разрушения информации в невыбранной ячейке памяти при воздействии на соседние нечетные ячейки токов опроса, записи и запрета

Прошивка Б четных отверстиях отсутствует, а прилежа.щие к ним области ферритовой пластины не предназначе;1Ы для хранения информации Захват этих областей потоком переключаюцейся ячейки не влияет на информационное состояние пластины.

Таким образом, разграничение информаHHOHiibix областей соседних ячеек четными отверстиями приводит к резкому увеличению магнитного сопротив,иения этими областями и предотвращает взаимный захват и перераспределение их магнитных потоков. Это обстоятельство дает возможность не ограничивать сверху величину упраапяющих токов, что. в CBQPJ очередь, позволяет резко снизить требования к стабильгности источников питания, к разбросу параметров комплектующих элементов; формировать переключение запоминающих ячеек и расширить температурный диапазон работы устройства.

Фор м у л а и 3 о б р е

н и я

Запоминающее устройство, содержащее ферритовые апастины с отверстиями записи к опроса; выходные шины к шины запрета, выполненные в виде бифиляриых соленоидов, шины записи и опроса, о т л и чающееся тем., что, с целью упрощения и повышения надежности устройства, выходные шины и шины запрета прошиты соответственно через все нечетнь е отверстия опроса и записи каждой зерритовой пластины, а шины записи и опроса прошиты через соответствующие отверстия всех ферритовых пластин в одном направленнк.

Источники инфор.гч ации5 принятые во внимание при экспертизе; 1. Авторское свидетельство СССР № 326803. М. Кл. G 11 С 11/08, приоритет 10.04.1972 г. 529482 2о Авторское свидетельство СССР «fo gfsS-.f ----

Похожие патенты SU529482A1

название год авторы номер документа
НАКОПИТЕЛЬ 1973
  • Витель Е. Е. Владимиров
SU378951A1
Магнитный запоминающий элемент 1975
  • Тимофеев Александр Орестович
  • Водяхо Александр Иванович
  • Трофимчук Олег Сергеевич
SU610173A1
Магнитное запоминающее устройство 1974
  • Балашов Евгений Павлович
  • Жмакин Анатолий Петрович
  • Тимофеев Александр Орестович
  • Шумилов Лев Алексеевич
SU532132A1
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО 1970
SU275139A1
Магнитно-полупроводниковый элемент 1982
  • Голотюк Олег Николаевич
  • Попов Юрий Алексеевич
SU1064433A1
О ПЛТЕНТИО--<^TE]'liH4^C"Ai] 1973
  • Авторы Изобретени
SU374604A1
МАТРИЦА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА 1970
SU261463A1
МАГНИТНЫЙ ДЕШИФРАТОР 1970
SU262967A1
Логическое программное устройство 1974
  • Шацилло Станислав Антонович
SU522522A1
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВОс-:;?:ооюснАЯг.шн'но-ТЕх;1:г^Е идяЕИБЛИО-ГКА 1970
SU276166A1

Реферат патента 1976 года Запоминающее устройство

Формула изобретения SU 529 482 A1

SU 529 482 A1

Авторы

Лапшин Антонин Иванович

Савелов Александр Зосимович

Даты

1976-09-25Публикация

1975-02-28Подача