Запоминающее устройство Советский патент 1976 года по МПК G11C11/08 

Описание патента на изобретение SU529482A1

пластины, а шины записи и опроса прошиты через соответсвующие- отверстия всех фер- ритовых пластин в одном направлении,

На чертеже дана принципиальная схема описываемого запоминающего устройства. Устройство содержит ферритовые пластины 1, прошитые шинами 2 опроса, выходными шинами 3, подключенными к усилителям 4 воспроизведения, шинами 5 записи, шинами 6 запрета, подключенными к формирователям 7 тока запрета, и блоки 8 выборки адресных шин опроса и записи

Через выбранную запоминающую ячейку пластины 1 по шине 2 опроса пропускается ток опроса, который считывает хранящуюся в ячейке информацию, пере1шючая магни- ный поток вокруг отверстия опроса. Переключение магнитного потока происходит через перемычку, расположенную между отверстиями опроса и записи, а также через перемычку, расположенную между ребром пластины и отверстием записи.

В момент переключения потока в выходной шине 3 наводится считанный сигнал, который поступает на вход усилителя 4. Затем по шине 5 записи поступает ток записи, который переключает магнитный поток вокруг отверстия записи, восстанавливая исходное состояние ячейки, существовавшее при записи единичной информации,, В том случае, когда необходимо записать нулевую информацию, по шине 6 запрета пропускается ток запрета формирователя 7, который компенсирует действия тока записи на запоминающую ячейку и она сохраняет состояние, установленное током опроса,

С помощью блоков 8 выборки адресных шин выбирают следующую пару шин опроса и записи, и операции считывания и записи повторяются в другой запоминающей ячейке пластины 1. В момент прохождения считанной нулевой 1ши единичной информации по шине 3 на нее воздействуют помехи, наводимые сигналами, действующими в самом устройстве и за его пределами Эти помехи могут исказить сигналы нуля и единицы что может нарушить работу устройства. Выполнение выходной шины 3 в виде бифилярного соленоида, когда прямой и обратный проводники проходят в непосредственной близости один от другого и от поверхности пластины 1, сводит эти помехи к неопасной для работы устройства величине.

Это достигается экранирующим действием ферритовой пластины и TeMj что градиен поля наводок достаточно мал в небольшом объеме пространства, в результате чего на прямом и обратном проводниках наводятся практически одинаковые по величине паразитные сигналы, направленные встречно в контуре выходной шины 3.

Аналогичные процессы устраняют наводки от шин 6 запрета и предотвращают взаимное влияние друг на друга одноименных рарядных шин.

Расположенные параллельно и имеющие большие по площади контуры шины опроса 2 и записи 5 пронизывают пакет ферритовых пластин 1 в одном направлении. Взаимные наводки, возникающие в этих шинах, на работу устройства не алияют, так как эти шины предназначены для пропускания больших по величине токовых сигналов и при работе одной из них контуры других находятся практически в разомкнутом нерабочем состоянии.

Выходные шины 3 и шины 6 запрета пропущены через нечетные отверстия пластин 1; что практически исключает возможность разрушения информации в невыбранной ячейке памяти при воздействии на соседние нечетные ячейки токов опроса, записи и запрета

Прошивка Б четных отверстиях отсутствует, а прилежа.щие к ним области ферритовой пластины не предназначе;1Ы для хранения информации Захват этих областей потоком переключаюцейся ячейки не влияет на информационное состояние пластины.

Таким образом, разграничение информаHHOHiibix областей соседних ячеек четными отверстиями приводит к резкому увеличению магнитного сопротив,иения этими областями и предотвращает взаимный захват и перераспределение их магнитных потоков. Это обстоятельство дает возможность не ограничивать сверху величину упраапяющих токов, что. в CBQPJ очередь, позволяет резко снизить требования к стабильгности источников питания, к разбросу параметров комплектующих элементов; формировать переключение запоминающих ячеек и расширить температурный диапазон работы устройства.

Фор м у л а и 3 о б р е

н и я

Запоминающее устройство, содержащее ферритовые апастины с отверстиями записи к опроса; выходные шины к шины запрета, выполненные в виде бифиляриых соленоидов, шины записи и опроса, о т л и чающееся тем., что, с целью упрощения и повышения надежности устройства, выходные шины и шины запрета прошиты соответственно через все нечетнь е отверстия опроса и записи каждой зерритовой пластины, а шины записи и опроса прошиты через соответствующие отверстия всех ферритовых пластин в одном направленнк.

Источники инфор.гч ации5 принятые во внимание при экспертизе; 1. Авторское свидетельство СССР № 326803. М. Кл. G 11 С 11/08, приоритет 10.04.1972 г. 529482 2о Авторское свидетельство СССР «fo gfsS-.f ----

Похожие патенты SU529482A1

название год авторы номер документа
НАКОПИТЕЛЬ 1973
  • Витель Е. Е. Владимиров
SU378951A1
Магнитное запоминающее устройство 1974
  • Балашов Евгений Павлович
  • Жмакин Анатолий Петрович
  • Тимофеев Александр Орестович
  • Шумилов Лев Алексеевич
SU532132A1
Магнитный запоминающий элемент 1975
  • Тимофеев Александр Орестович
  • Водяхо Александр Иванович
  • Трофимчук Олег Сергеевич
SU610173A1
МАГНИТНЫЙ ДЕШИФРАТОР 1970
SU262967A1
Логическое программное устройство 1974
  • Шацилло Станислав Антонович
SU522522A1
Накопитель 1973
  • Владимиров Евгений Евгеньевич
SU474846A1
МАГНИТНОЕ ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО 1970
SU283308A1
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО 1970
SU275139A1
Магнитно-полупроводниковый элемент 1982
  • Голотюк Олег Николаевич
  • Попов Юрий Алексеевич
SU1064433A1
БУФЕРНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО 1972
SU341083A1

Реферат патента 1976 года Запоминающее устройство

Формула изобретения SU 529 482 A1

SU 529 482 A1

Авторы

Лапшин Антонин Иванович

Савелов Александр Зосимович

Даты

1976-09-25Публикация

1975-02-28Подача