Дискретно-аналоговый накопительный преобразователь Советский патент 1976 года по МПК H03K13/20 

линий задержки обмотки управления первого вентиля, первичной обмотки сверхпроводящего трансформатора и обмотки управления второго вентиля, а соединенные последовательно первый криотронный вентиль и вторичная обмотка сверхпроводящего трансформатора подключены параллельно второму криотронному вентилю и обмотке сверхпроводящего накопителя. На фиг. 1 представлена принципиальная Схема описываемого дискретно-аналогового накопительного преобразователя, на фиг. 2 показаны временные диаграммы прохождения импульса тока по цепям электромагнитной системы управления. Преобразователь содержит криотронные вентили 1 и 2 с обмотками управления 3,4 сверхпроводниковую обмотку 5, сверхпроводящий трансформатор 6 с первичной 7 и вторичной 8 обмотками, линии задержки 9, 10, входные клеммы 11,12, а также клем му 13 и криотронный вентиль 14 для установки преобразователя в исходное состояние Накопитель преобразователя состоит из последовательно соединенных криотронного вентиля и вторичной обмотки 8, сверхпроводящего трансформатора 6, подключенных па раллельно к криотронному вентилю 2 и через криотронный вентиль 14 к сверхпроводниковой обмотке 5. Электромагнитная систе ма управления подсоединена к клеммам 11 12 и включает в себя последовательно соединенные посредством линий задержки 9, 10 обмотку управления 3 криотронного вен тиля 1, первичную обмотку 7 сверхпроводящего трансформатора 6 и обмотку управления 4 криотронного вентиля. Обмотка управлени-: криотронного вентиля 14 подключена к клеммам 12, 13, на которые подается сигнал установки преобразователя в исходное состояние. Устройство работает следующим образом Импульсы тока, поступающие на вход пре образователя, проходят последовательно через обмотку управления 3 криотронного вентиля, линию задержки, первичную обмотку 7 трансформатора 6, линию задержки 10 и обмотку управления 4 криотронного вентиля 2 Временная последовательность прохождения импульса (см. фиг. 2) такова, что он перво начально, проходя по обмотке криотронного вентиля 1, переводит его в нормальное состояние. При последующем движении через время Л. t, J , определяемое линией задержки 9, импульс проходит по первичной обмотке 7 трансформатора, создавая магнитный поток i 4, сцепленный со вторичной обмот кой 8. В момент времени t, вентиль крио фрона 1 переходит в сверхпроводящее состо53чие, и магнитный поток А Ч оказывается сцепленным со сверхпроводящим контуром, образуемым вентилями криотронов 1,2 и вторичной обмоткой 8 трансформатора. В момент t импульс переводит в нор мальное состояние вентиль криотрона 2. и магнитный поток оказывается cцeПi;,:JIHЫм со сверхпроводящим контуром накопителя, включающим обмотку 5. В момент времени if когда магнитный поток и Ч, создаваемый первичной обмоткой трансформатора, становится равным нулю, в контуре накопителя возбуждается незатухающий ток, компенсирующий изменения потокосцепления контура и накопителя, т.к. потокосцепление сверхпроводящего контура является величиной постоянной и при исчезновении магнитного noiтока первичной обмотки 7 измениться не может. Возвращение вентиля криотрона 2 в сверхпроводящее состояние в момент tg не изменяет состояние схемы. При неоднократном повторении такой операции в сверхпроводящем контуре накапливается магнитный поток и увеличивается соответствующими порциями ток. Величина тока, возбужденного в накопителе, определяется выражением: , где К - коэффициент преобразования; N - число входных импульсов; дЧ - магнитный поток, вводимый в контур накопителя одним импульсом, ц- индуктивности накопителя. Таким образом, введение в преобразователь криотронных вентилей и сверхпроводящего трансформатора позволило существенно увеличить его быстродействие. Формула изобретения Дискретно-аналоговый накопительный преобразователь, содержащий электромагнитную систему управления и сверхпроводящий накопитель, включающий в себя сверхпроводниковую обмотку, отличающийся тем, что, с целью повыщения быстродействия , он содержит два криотронных вентиля и сверхпроводящий трансформатор, причем электромагнитная система состоит из последовательно соединенных посредством линий задержки обмотки управления первого /криотронного вентиля, первичной обмотки сверхпроводящего трансформатора и обмотки управления второго криотронного вентиля, а соединенные последовательно первый криотронный вентиль и вторичная обмотка сверхпроводящего трансформатора подключены параллельно второму криотронному вентилю и обмотке сверхпроводящего накопителя. Источники информации, принятые во вниумание при экспертизе: 1.Авт.св. № 184525. 2.Авт.св. № 455483 кл. Н 03 К 13/20.

Фиг. 1

КР2