Асинхронный имплантируемый электрокардиостимулятор Советский патент 1976 года по МПК A61N1/36 

го состояния транзистора 4. напряжсине заряда конденсатора прикладывается через электроды к сердцу, вызывая сокращение сердечной мышцы. В начальный момент дейстБня выходного имнульса нанряжение, нрикладываемое к резистору 5, нрактическп равно нулю. Увеличиваясь (но мере разряда конденсатора 6) нриблизителыю но линейному закону и достигая к концу действия вы.ходного импульса величины составляющей около 30% от э. д. с. источника питания (Як-), средний ток потребления выходного ключа предлагаемой схемы равен 0,15 EK/RK (сопротивление ключа). Этот ток нельзя отнести к собственному току потребления выходного ключа, так как, складываясь с током разряда конденсатора 6, он улучшает условия возбуждения сердечной мышцы. При отключенной нагрузке, т. е. до момента имплантации, предлагаемая схема выходного ключа практически совсем не потребляет тока.

Такое выполнение схемы повышает амплитуду выходных импульсов на 1,0-1,5 В, упрощает схему, создает лучшую защиту отрицательного электрода от электроэрозии (так как обратный ток диода равен: /обр. д. 1 -

- 4 мкА, а обратный ток коллектора транзистора: /обр. к. 0,01-0,1 мкА), снижает затраты электроэнергии источника питания, уменьщая ток потребления выходного ключа примерно в б раз.

Формула изобретения

Асинхронный имплантируемый электрокардиостимулятор, содержащий источник питания, генератор импульсов, / С-ценочку и управляемый ключ, выполненный, например, в виде транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, база которого подключена к

выходу генератора импульсов, и электроды, отличающийся тем, что, с целью упрощения устройства при повышении защищенности от электрохимической эрозии и увеличении амплитуды выходного импульса, в нем

элементы в КС-цепочке соединены последовательно, причем резистор подключен к положительной шине источника питания, а конденсатор - к отрицательной общей шине источника питания, нагрузка через электроды

включена между средней точкой ./ С-цепочки и коллектором транзистора.

5-1 17

ф.. -L

iM-©-