Способ испытания полупрводниковых приборов Советский патент 1976 года по МПК G01R31/27 

Описание патента на изобретение SU533891A1

пня происходит образование аномалышй э;гектричес1 ой связи между переходами через дефекты. На смежном переходе при этом наблюдается резкий рост величипы иатфяжения, не присущий бездефектным приборам, у которых величипа ндпряжеиия на смежном переходе имеет определенное зпачение, ,за;зпсящее от копцептрацпи и градиента распределения легирующих примесей в переходах, а также от ширины базового слоя. Увеличение вероятности обнаружения дефектов достигается в результате применения возрастающего обратносмещающего переход напряжения, изменяемого в широком диапазоне вплоть до напряжения пробоя р-п пере-хода, что позволяет, в отличие от известных способов, обнаружить дефекты в области р-п переходов во всем возможном интервале обратносмещающих напряжений, и за счет резкого изменения напряжения на смежном переходе при наличии дефектов в области р-п переходов, обусловленного высоким дифференциальным сопротивлением смежного перехода нри наличии на нем измеряемого напряжения и пониженным сопротивлением дефектов по сравнению с сопротивлением обратносмещенного р-п перехода. Зная величину о братносмещаюп его напряжения, при которой возникает аномальная электрическая связь смежных р-п переходов, по началу резкого роста напряжения, измеряемого на смежном переходе, судят о наличии дефектов в области переходов и о предельно допустимом режиме работы прибора по напряжению. Более надежные приборы те, у которых величина обратносмещающего напряжения, вызывающая аномальную связь р-п переходов, имеет большую величину. Уменьшение времени испытания полупроводниковых приборов на наличие дефектов достигается в результате отсутствия тепловых инерционных процессов, присущих из;вестным способам. Проводились испытания изготовленных по одной технологии высокочастотных германиевых транзисторов типов П401; П423; ГТ308 на наличие скрытых дефектов. От источника напряжения через токоограничивающий резистор на переход коллектор - база подавали возрастающее обратносмещающее переход напряжение до величины напряжения пробоя. При этом на переходе эмиттер - база транзистора нзмеряли напряжение с помощью вольтметра с -входным со11ротивле 1ием, превышающим 10 Мом. Для основной массы транзисторов (9о%) измеряемое на переходе эмиттер-база напряжение (f/Ев) не превышало 0,2 в во всем диапазоне измерения обратпосмеш.ающого напряжения на переходе коллектор - база. Транзисторы, у которых наблюдали рост измеряемого напряжения евыHIC 0,2 в, выделяли как приборы, содержащие скрытые дефекты. Уровень /лв 0,2 в задавали, руководствуясь статистическими данными и величиной верхнего уровня измеряемого напряжения UEB для бездефектных р-п-р структур, рассчитанного по формуле: и ЕВ UT Ln(l - hziBJ, где U-i-темнературный потенциал, Й21« - коэффициент передачи тока в схеме с общей базой. Способ позволит обнаружить и отбраковывать потенциально ненадежные приборы. Применение предлагаемого еноооба испытания полупроводниковых приборов с двумя и более р-п переходами обеспечивает по сравнению с существующими способами возможность обнаружения скрытых дефектов в области залегания р-п переходов независимо от их теплофизических параметров, в результате чего предлагаемый способ является универсальным для неразрушающих испытаний приборов различных конструкций на различных стадиях процесса изготовления (на пластине, на стадии сборки, на готовых изделиях). Формула изобретения Способ испытания полупроводниковых приборов путем подачи на прибор электрического тока, о т л и ч а ю н.1,и и с я тем, что, с целью повышения вероятности обнаружения скрытых дефектов и сокращения времени измерения, па оди из р-п переходов подают возрастаюплсе обратносмещающее переход напряжение, а на смежном с ним переходе измеряют величину напряжения относительно слоя, являющегося обп1им для данных переходов, папример, базы в транзисторе, и по еличинам этих напряжений судят о наличии ефектов.

Похожие патенты SU533891A1

название год авторы номер документа
Способ отбраковки транзисторов 1981
  • Пиняев Николай Иванович
SU1049837A1
Устройство для контроля полупроводниковых приборов 1980
  • Хомич Виктор Иванович
  • Пыж Михаил Васильевич
  • Староверов Николай Викторович
  • Колобутин Ромуальд Иванович
SU892362A1
Способ контроля качества и надежностипОлупРОВОдНиКОВыХ СТРуКТуР C P-п пЕ-РЕХОдАМи 1978
  • Новиков Леонид Николаевич
  • Прохоров Валерий Анатольевич
  • Палей Владлен Михайлович
SU805213A1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 2005
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Жарких Александр Петрович
  • Шишкин Игорь Алексеевич
RU2309417C2
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 2003
  • Горлов М.И.
  • Жарких А.П.
  • Емельянов В.А.
RU2234163C1
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ ПО НАДЕЖНОСТИ 2010
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Золотарева Екатерина Александровна
  • Смирнов Дмитрий Юрьевич
RU2507525C2
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФЛЮЕНСА НЕЙТРОНОВ 1991
  • Кириллов А.И.
  • Ходков А.Е.
RU2006881C1
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ СТРУКТУРЫ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 1980
  • Нечаев А.М.
  • Рубаха Е.А.
  • Синкевич В.Ф.
  • Квурт А.Я.
  • Миндлин Н.Л.
SU923281A1
Устройство для защиты силовых транзисторов при контроле параметров вторичного пробоя 1989
  • Рудский Вячеслав Алексеевич
  • Пискарев Александр Николаевич
  • Дмитриев Борис Федорович
SU1758609A1
СПОСОБ НАПРАВЛЕННОЙ МОДИФИКАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ИМПУЛЬСНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ 2013
  • Киселев Владимир Константинович
  • Венедиктов Максим Михайлович
RU2545077C1

Реферат патента 1976 года Способ испытания полупрводниковых приборов

Формула изобретения SU 533 891 A1

SU 533 891 A1

Авторы

Дробыш Петр Павлович

Пыж Михаил Васильевич

Касперович Николай Лукьянович

Медведев Эдуард Михайлович

Даты

1976-10-30Публикация

1973-11-26Подача