пня происходит образование аномалышй э;гектричес1 ой связи между переходами через дефекты. На смежном переходе при этом наблюдается резкий рост величипы иатфяжения, не присущий бездефектным приборам, у которых величипа ндпряжеиия на смежном переходе имеет определенное зпачение, ,за;зпсящее от копцептрацпи и градиента распределения легирующих примесей в переходах, а также от ширины базового слоя. Увеличение вероятности обнаружения дефектов достигается в результате применения возрастающего обратносмещающего переход напряжения, изменяемого в широком диапазоне вплоть до напряжения пробоя р-п пере-хода, что позволяет, в отличие от известных способов, обнаружить дефекты в области р-п переходов во всем возможном интервале обратносмещающих напряжений, и за счет резкого изменения напряжения на смежном переходе при наличии дефектов в области р-п переходов, обусловленного высоким дифференциальным сопротивлением смежного перехода нри наличии на нем измеряемого напряжения и пониженным сопротивлением дефектов по сравнению с сопротивлением обратносмещенного р-п перехода. Зная величину о братносмещаюп его напряжения, при которой возникает аномальная электрическая связь смежных р-п переходов, по началу резкого роста напряжения, измеряемого на смежном переходе, судят о наличии дефектов в области переходов и о предельно допустимом режиме работы прибора по напряжению. Более надежные приборы те, у которых величина обратносмещающего напряжения, вызывающая аномальную связь р-п переходов, имеет большую величину. Уменьшение времени испытания полупроводниковых приборов на наличие дефектов достигается в результате отсутствия тепловых инерционных процессов, присущих из;вестным способам. Проводились испытания изготовленных по одной технологии высокочастотных германиевых транзисторов типов П401; П423; ГТ308 на наличие скрытых дефектов. От источника напряжения через токоограничивающий резистор на переход коллектор - база подавали возрастающее обратносмещающее переход напряжение до величины напряжения пробоя. При этом на переходе эмиттер - база транзистора нзмеряли напряжение с помощью вольтметра с -входным со11ротивле 1ием, превышающим 10 Мом. Для основной массы транзисторов (9о%) измеряемое на переходе эмиттер-база напряжение (f/Ев) не превышало 0,2 в во всем диапазоне измерения обратпосмеш.ающого напряжения на переходе коллектор - база. Транзисторы, у которых наблюдали рост измеряемого напряжения евыHIC 0,2 в, выделяли как приборы, содержащие скрытые дефекты. Уровень /лв 0,2 в задавали, руководствуясь статистическими данными и величиной верхнего уровня измеряемого напряжения UEB для бездефектных р-п-р структур, рассчитанного по формуле: и ЕВ UT Ln(l - hziBJ, где U-i-темнературный потенциал, Й21« - коэффициент передачи тока в схеме с общей базой. Способ позволит обнаружить и отбраковывать потенциально ненадежные приборы. Применение предлагаемого еноооба испытания полупроводниковых приборов с двумя и более р-п переходами обеспечивает по сравнению с существующими способами возможность обнаружения скрытых дефектов в области залегания р-п переходов независимо от их теплофизических параметров, в результате чего предлагаемый способ является универсальным для неразрушающих испытаний приборов различных конструкций на различных стадиях процесса изготовления (на пластине, на стадии сборки, на готовых изделиях). Формула изобретения Способ испытания полупроводниковых приборов путем подачи на прибор электрического тока, о т л и ч а ю н.1,и и с я тем, что, с целью повышения вероятности обнаружения скрытых дефектов и сокращения времени измерения, па оди из р-п переходов подают возрастаюплсе обратносмещающее переход напряжение, а на смежном с ним переходе измеряют величину напряжения относительно слоя, являющегося обп1им для данных переходов, папример, базы в транзисторе, и по еличинам этих напряжений судят о наличии ефектов.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ отбраковки транзисторов | 1981 |
|
SU1049837A1 |
Устройство для контроля полупроводниковых приборов | 1980 |
|
SU892362A1 |
Способ контроля качества и надежностипОлупРОВОдНиКОВыХ СТРуКТуР C P-п пЕ-РЕХОдАМи | 1978 |
|
SU805213A1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ | 2005 |
|
RU2309417C2 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ | 2003 |
|
RU2234163C1 |
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ ПО НАДЕЖНОСТИ | 2010 |
|
RU2507525C2 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФЛЮЕНСА НЕЙТРОНОВ | 1991 |
|
RU2006881C1 |
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ СТРУКТУРЫ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ | 1980 |
|
SU923281A1 |
Устройство для защиты силовых транзисторов при контроле параметров вторичного пробоя | 1989 |
|
SU1758609A1 |
СПОСОБ НАПРАВЛЕННОЙ МОДИФИКАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ИМПУЛЬСНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ | 2013 |
|
RU2545077C1 |
Авторы
Даты
1976-10-30—Публикация
1973-11-26—Подача