Регистр сдвига на приборах с зарядовой связью Советский патент 1976 года по МПК G11C19/28 

При подаче на эти слои обедняющих потенциалов основные носители из них удаляются через внешнюю цепь, и потенциал от поверхности раздела диэлектрик-полупроводник изменяется периодически вглубь полупроводника, образуя чередующуюся последовательность экстремумов (максимумов и минимумов), каждый из которых расположен в слое полупроводника соответствующей проводимости. Каждая экстремальная область, являющаяся одним из информативных каналов, отделена от соседней экстремальной области потенциальным барьером. Свободные основные носители заряда одного знака (электроны или дырки), инжектированные из внешнего источника в информативный канал соответствующей проводимости, храняться в этом канале, в то время как свободные носители заряда противоположного знака (дырки или электроны), инжектированные из другого источника, хранятся в соседнем канале противоположного типа проводимости. Потенциальный барьер между двумя соседними информативными каналами противоположных типов проводимости препятствует взаимодействию (рекомбинации) носителей зарядов противоположных знаков, инжектированных одновременно в соседние каналы, в течение конечного отрезка времени.

Приложение потенциала (положительного или отрицательного) к одному из унравляющих электродов 6 изменяет (увеличивает или уменьшает) уровень потенциала во всем объеме полупроводника, лежащем под данным управляющим электродом, что приводит к модуляции (увеличению или уменьшению максимумов и минимумов) уровней потенциала в областях каждого информативного канала, находящихся под этим управляющим электродом.

В результате при наличии свободных носителей заряда в любом из каналов носители заряда одного знака (электроны) собираются в области повышенного максимума потенциала, образуя зарядовый пакет, а носители заряда другого знака (дырки) освобождают область повышенного минимума потенциала.

Направленность перемещения зарядовых пакетов определяется амплитудно-фазовым

соотношением управляющих напряжений, однако всегда зарядовые пакеты противоположных знаков в соответствующих каналах перемещаются в противоположных (встречных) направлениях.

Ввод и вывод информативных зарядовых пакетов противоположных знаков в соответствующие каналы осуществляется через невыпрямляющие контакты к каждому слою полупроводника.

Увеличение информационной емкости регистра сдвига на ПЗС без увеличения его площади при том же количестве технологических операций позволяет приблизительно в двя раза снизить стоимость затрат на единицу информации при прочих равных условиях, кроме того, описываемый регистр позволяет расширить функциональные возможности приборов с зарядовой связью.

Формула изобретения

Регистр сдвига на приборах с зарядовой связью, содержащий полупроводниковую подложку, покрытую слоем диэлектрика, на поверхности которого расположены управляющие электроды и информативные и изолирующие слои противоположных типов проводимости, чередующиеся по глубине подложки, о тличающийся тем, что, с целью повыщения

информационной емкости, он содержит диффузионные области ввода и вывода информации, расположенные па изолирующих слоях полупроводниковой подложки.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.Патент США № 3700932, кл. 307-304, 1972.

2.Патент США № 3739240, кл. 317-2432, 1973.

i2W

fO

11i3

n