Полупроводниковый конденсатор Советский патент 1976 года по МПК H01G7/00 

1

Изобретение отноюится к области радиотехники, в частности к .конструирОВанию полупроводниковых кондевсаторов.

Известны полупроводниковые конден-саторы, содержащие слои 1полуправодни1ка, диэлектрика, металла и выводы.

Однако, известные конденсаторы обладают незначительным по ширине диапазоном изменения емкости.

Цель изо бретения - расширение диапазона изменения конденсатора - достигается тем, что полунроводнико1вый слой расположен между металлическими слоями, разделенными диэлектриком, а .выводы подсоединены « полупроводниковому слою.

На чертеже показан предлагаемый конденсатор.

Он состоит ИЗ 1иолупроводнико во1го слоя 1, расположенного между -металлическими слоями 2, разделенными дизлектриком 3 и выводов 4, подсоединенных к полупроводниковому слою. Через контакты 5 конденсатор подключается к рабочей iCxeMe.

На полупроводниковый слой подается постоянный ток, при прохождении которого изменяются свойства конденсатора, т. е. изменяется его емкость. Плавно меняя величину

тока, можно плавно изменять величину емкости конденсатора. Подбирая толщину и удельное сопротивление полупроводника, толщину диэлектриков, можно добиться необходимой величины изменения емкости конденсатора, происходящего за счет наличия скрещенных полей, а также появления избыточных носителей тока в полуправоднике.

Формула изобретения

Полупроводниковый конденсатор, содержащий слои полупроводника, диэлектрика, металла и выводы, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона изменения емко)сти конденсатора, полупроводниковый слой расположен между металлическими слоями, разделенными диэлектриком, а выводы подсоединены к полупроводни ковому слою.

-о

1

О

г

2 Ц.