Амплитудный модулятор Советский патент 1976 года по МПК H03C1/48 

Изобретение относится к технике СВЧ.

Известен амплитудный 1модулято1р, оодержап4ий модуЛ|Ирую:Щий элемент, источники постоянного 1И управляющего- магнитных полей, входную и выходную цепи 1.

Од1на1ко известный амплитудный модулятор требует большой величины магнитных полей и имеет большие габариты.

Цель изобретения - уменьшение величины .магнитных полей и габаритов модулятора.

Для этого в амплитудном модуляторе модулируюш,ий элемент вьтолнен в виде пластины, вырезанной из твердого полупровояникового раствора с узкой запрещенной зоной энергии, ,нап,ример BiSb, причем плоскость пластины параллельна .кристаллографической плоскости раствора.

На чертеже приведена конструкция амплитудного модулятора.

Амплитудный модулятор сощержит модулирующий элемент, который выполнен в виде пластины 1, вырезанной из твердого полупроводникового раствора с уз1кой запрещенной зоной энергии, например BiSb, причем плоскость пластины 1 параллельна кристаллографической плоскости раствора, источник постоянного Магнитного поля, представляющий собой постоянный магнит 2, источник управляющего магнитного поля, выполненный в виде двух гельмгольцевых катушак 3, входную и выходную цепи, образованные соответственно Д(вумя окрещенными катушками индужтивности 4 и 5 с взаимно перпендикулярными осями, которые охватывают пластину 1.

Постоянйый магнит 2 создает в зазоре постоянное магнитное поле, перпендикулярное пластине 1. Модулируемые колебания поступают на катушку индукти1В|Ности 4 и возбуждают в плас11ине 1 размерный резонанс циркуля)рно поляризованных геликонных волн, которые индуцируются катушкой индуктивности 5 и поступают на выход амплитудного модулятора. Модуляция осуществляется при помощи управляющего магнитного поля, созда1ваемого двумя гельмгольдввьими катушками 3.

В связи с высокой концентрацией носителей тока и большой их подвижностью (- IlS сек) в пластине 1 достигается

большая крутизна модуляционной характеристики, что требует меньшей величины постоянного и управляюшего магнитных полей. Это приводит к уменьшению размеров источников постоянного и управляющего маг«итных полей, а следовательно и габаритов модулятора.

Формула изобретения

Амплитудный модулятор, содержащий модулирующий элемент, источники постоянлого

и управляющего мапвитных полей, входную и выходную цепи, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины магнитных полей и габаритов 1модулятора, модулирующий элемент выполнен в виде пла1стины, вырезанной из Т1ВврДОГО ПОЛу1ПрОВОДНИ|КОВОГО

paiCTiBO-pa с узкой запрещенной зоной эне1ртии, например BiSb, причем пло;скость нластины

параллельна йристаллолрафичеокой плоскости paiCTBopa.

Источник информации, принятый во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР №292571, Кл. Н ОЗС 1/48, 14.02.1969 г. (прототип).