Устройство для исследования вольтамперных характеристик полупроводниковых материалов Советский патент 1977 года по МПК G01R27/00 

на аняло1ОШ:1я вычислительная машина, соединсушая с flByxKooimmJaTHbJM самописцем.

Такое устройство обеспечивает повышение производительности измерег ий.

На чертеже приведена структурная электрическая схема предложенного устройства.

Устройство для исследования вольт-амперт ных харакЛ;гр)истик полупроводниковых материалов содержит последовательно соединевные генератор 1, ртутное реле 2 и коаксиаль ную измерительную линюо 3, реаистивный зонд 4, стробоскопический осциллограф 5, двухкоординатный самописец в, второй реэистивный зонд 7 с стробоскопическим осциллографом 8, ограничитель 9 тока, линию| 10 задержки, аналоговую вычислительную машину 11, причем второй резистивный зонй;

7соединен с входом второго стробоскогшческого осциллографа 8, к другому входу которого подключена линия 10 задержки, соединенная с входом первого стробоскопического осциллографа 5, а ограничитель 9 тока включен между входом коаксиальной измерительной линии 3 и Е ХОДОМ введенного стробоскопического осциллографа 8, к выходам стробоскопических осциллографов 5 и;

8подключена аналоговая вычислительная з шшина 11, соешшенная с двухкоординатны самописрем 6.

Устройство для исследования волът -амперных характдиетик полупроводниковых мате{ 1алов работает следующим образом.

Образец подлежащий исследованию распо4 лагается по отношению к коаксиальной лиНИИ 3 таким образом, чтобы его масса контакт с центральным и внешним ее проводниками. Сформированный реле 2 и генератором 1 наиосекундный импульс регнстри- руется зондом 4 .и осциллографом 5, установленным на расстоянии, иг С tV2. от иссле4 дуемого образца, где X - длительность импульса, С - скорость света. Отраженный от образца импульс регастрируется зондом 7 и осциллографом 8. При этом запуск ос-; циллографов 5 и 8 осуществляется одновреЦ ,менно при помощи линии 1О задержки, а стабильность момента времени запуска осциллографов 5 и 8 обеспечивается ограничите--. лем 9. Постоянное на1гряжелие пропораиональное амплитудам падаюшего и отраженно-: го импульсов Б определенный момент поступает на вход аналоговой вычислительной машины 11, производящей алгебраические операции, которые регистрируются самописцем 6 в виде вольт-амперной характеристи1 и исследуемого образца.

Формула изобретения

Устройство для исследования вольт-амперHijJX характеристик полупроводниковых материалов, содержащее последовательно соединенные генератор, ртутное реле икоаксиальную измерительную линию, резистивный зонд, ;стробоско1шческий осциллограф .и двухкоор- динатный самописец, отличаюшее с я тем, что, с целью повышения произво|дительности измерения, в него введены вто|рой резистивный зонд с стробоскопическим I осциллографом, ограничитель тока, линия за- держки и аналоговая вычислительная машину причем jвторой резистианый зонд соединен с входом второго стробоскопического осциллографа, к другому входу которого цодключена линия задержки, соединенная с входом первого стробоскопического осциллограффа, а ограничитель тока включен между входом коаксиальной измерительной линии и входом введенного стробоскопического осциллографа, к выходам стробоскопических осциллографов подключена аналоговая вычислительная мащина, соединенная, с двух- координатным самописЦем.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Макгроди, Осцилляции тока, бегущие волны объемного заряда и домены п-германия. Труды Мегкдународной конференции пофизике : полупровогщиков, t М«, 1968 г (аналог)

2.W ЗяпзсЬ, Н. Meinrich , Л method for SiLtonanerseeund paEse mersurement of voft -атрЕг choraotef(sties.,, RevuE Societs/ Instrument f970, v4, p 228

11

McMdtf

dysM.

образен,