Пленочный диод Советский патент 1979 года по МПК H01L29/12 

Описание патента на изобретение SU550066A1

(54) ПЛЕНОЧНЫЙ ДИОД

Похожие патенты SU550066A1

название год авторы номер документа
ЗАЩИТНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ПРОВЕРКИ ПОДЛИННОСТИ ОБЪЕКТА ЗАЩИТЫ И СПОСОБ ПРОВЕРКИ ПОДЛИННОСТИ 2009
  • Болтаев Анатолий Петрович
  • Пудонин Федор Алексеевич
  • Проценко Игорь Евгеньевич
RU2406152C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТЕКТОРОВ ТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНА 2014
  • Чесноков Владимир Владимирович
  • Чесноков Дмитрий Владимирович
  • Кочкарев Денис Вячеславович
  • Кузнецов Максим Викторович
RU2545497C1
ОПТИЧЕСКИЙ ПАССИВНЫЙ ОГРАНИЧИТЕЛЬ ПРОХОДЯЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2013
  • Чесноков Владимир Владимирович
  • Чесноков Дмитрий Владимирович
  • Никулин Дмитрий Михайлович
  • Шергин Сергей Леонидович
  • Райхерт Валерий Андреевич
  • Кочкарев Денис Вячеславович
  • Кузнецов Максим Викторович
  • Лаптев Евгений Владимирович
RU2555503C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА 2012
  • Гусев Сергей Александрович
  • Качемцев Александр Николаевич
  • Киселев Владимир Константинович
  • Климов Александр Юрьевич
  • Рогов Владимир Всеволодович
  • Фраерман Андрей Александрович
RU2522714C2
ЭЛЕМЕНТ УСТРОЙСТВА ПАМЯТИ СО СТРУКТУРОЙ МЕТАЛЛ-ИЗОЛЯТОР-МЕТАЛЛ 1997
  • Мордвинцев В.М.
  • Левин В.Л.
  • Шумилова Т.К.
  • Савасин В.Л.
  • Кудрявцев С.Е.
RU2108629C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНООТВЕРСТИЙ 2010
  • Сучков Сергей Германович
  • Запороцкова Ирина Владимировна
  • Васильковский Сергей Владимирович
  • Сучков Дмитрий Сергеевич
  • Селифонов Антон Викторович
RU2427415C1
ФОТОКАТОД 2013
  • Ильичев Эдуард Анатольевич
  • Рычков Геннадий Сергеевич
  • Кулешов Александр Евгеньевич
  • Набиев Ринат Мухамедович
  • Климов Юрий Алексеевич
  • Потапов Борис Геннадьевич
RU2542334C2
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА 2005
  • Каминский Владимир Васильевич
  • Голубков Александр Васильевич
  • Казанин Михаил Михайлович
  • Павлов Игорь Владимирович
  • Соловьев Сергей Михайлович
  • Шаренкова Наталия Викторовна
RU2303834C2
ЯЧЕЙКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ ПЛЕНОК СЛОЖНЫХ ОКСИДОВ 2005
  • Сухова Галина Ивановна
  • Патрушева Тамара Николаевна
  • Чудинов Евгений Алексеевич
  • Меньшиков Виктор Васильевич
  • Патрушев Валерий Васильевич
RU2282203C1
ДАТЧИК СОДЕРЖАНИЯ АММИАКА В ВОЗДУХЕ 2001
  • Белогорохов А.И.
  • Маслов Л.П.
  • Ищенко А.А.
RU2205378C2

Иллюстрации к изобретению SU 550 066 A1

Реферат патента 1979 года Пленочный диод

Формула изобретения SU 550 066 A1

Изобретение относится к твердотельной электронике и может использоваться в радиотехнике и микроэлектронике в качестве нелинейного элемента. Известны тонкопленочные приборы, представ ляющие собой структуры, состоящие из одного или более тонких слоев металла, полупроводника или диэлектрика 1. Наиболее близок к предлагаемому пленочный диод, содержащий диэлектрическую подложку, электрический вентиль и пленочные металлические электроды (2. Однако этот диод имеет низкую радиацион-, иую стбикость, небольщой температурный диап зон работы Иг, кроме того, технология получения тонких совершенных пленок диэлектрика довольно сложная. Цель изобретения - повышение радиациоиной стойкости, расширение температурного диапазона. Предлагаемый диод отличается тем, что элек трическим вентилем является нанесенная на ди электрическую подложку между пленочными электродами диспергированная металлическая пленка, в которой размер островков и расстояние между ними монотонно изменяются от одного электрода к другому. На чертеже изображен пленочный диод. На диэлектрической подложке 1 между пленочными металлическими электродами 2 расположена диспергированная металлическая пленка с неоднородной структурой 3. Диспергированная металлическая пленка с вышеуказанной структурой может быть получена различными способами. При одном из известных способов, косом напылении, точечный испаритель устанавливают таким образом, чтобы расстояния от него до разных участков поверхности подложки отличались, количество вещества, а следовательно, размер островков и расстояния между ними, монотонно изменяются от одного электрода к другому. При другом способе, перемещая маску в процессе напыления, получают пленку со ступенчато изменяющейся толщиной. Эту пленку затем прогревают до образования островковой структуры. Дис 1ергнрованные металлические пленки изготовляют из -лиюта, хрома шш из

других металлов. Так получают неоднородную диспергированную пленку золота, в которой размер островков от одного зле|строда к другому изменяется от 20 до 200 А и расстояния между ними - от 1000 до 20 А. Коэффициент выпрямления достигает Квыпр. Ю и внутреннее сопротивление Рвнутр. О мОм (Ввнутр. варьируется в пределах от десятков кОм до сотен мОм).

В основе работы диода лежит эффект униполярной проводимости диспергированных металических пленок с указанной выше структурой Известно, что проводимость диспергированных металлических пленок обусловлена туннелированвем элертронов через потенциальные барьеры между островками, причем коэффициент прозрачности зависит от разности потенциалов между ними.

Оказалось, что распределение потенциала в пленке с такой неоднородной структурой зависит от полярности приложенного к ней напряжения, т.е. приводит к диодному эффекту. Прямым направлением тока является такое, при котором ток протекает от крупных островков к мелким.

Радиационная стойкость предлагаемого пленочного диода достигается тем, что проводимость металлов и диэлектриков при обпучеНИИ существенно не меняется. Свойства этой системы зависят от температуры, но интервал рабочих температур значительно расширяется (для пленок золота на стекле 4,2-600 К, а для пленок тугоплавких металлов, например хрома, 4,2-800°К).

Формула изобретения

11леночш 1й диод, содержащий диэлектрическ подложку, электрический вентиль и пленочные металлические электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости, (расширения температурного диапазона работы, а также уменьшения габаритов, электрическим вентилем является нанесенная на диэлектрическую подложку межд электродами диспергированная металлическая пленка, в которой размер островков и расстояние между ними монотонно изменяются от одного электрода к другому.

Источники информации,

принятые во внимание при экспертизе

1.Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов, Энергия, М., 1973, с. 449-488.2.Патент США N 3643122, кл. 317-234 (Н 01 П 9/00), 1972.

SU 550 066 A1

Авторы

Дюков В.Г.

Кулюпин Ю.А.

Непийко С.А.

Даты

1979-10-05Публикация

1974-12-20Подача