Способ измерения напряженности магнитного поля Советский патент 1977 года по МПК G01R33/06 G01R33/02 

1

Изобретение относится к области электрических и магнитных измерений и может быть использовано в измерительно-информационной технике для измерения напряженности магнитного поля.

Известен способ измерения напряженности магнитного поля, основанный на измерении изменения сопротивления висмута от величин напряженности магнитного поля 1. Недостатком этого способа является невысокая чувствительность и точность измерения.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ измерения напряженности магнитного поля, основанный на эффекте Холла и заключающийся в измерении ЭДС Холла, которая зависит от напряженности магнитного поля 2.

Однако такой способ измерения напряженности магнитного поля обладает невысокой чувствительностью и точностью, а также связан с трудоемкой технологией изготовления самого датчика Холла. Кроме того, громоздкая и сложная аппаратура, применяемая для осуществления этого способа, приводит к повышению стоимости оборудования, используемого в процессе измерений.

Цель изобретения - повыщение чувствительности и точности.

Это достигается тем, что по предлагаемому способу измерения напряженности магнитного ПОЛЯ, основанному на изменении свойств вещества, помещенного в магнитное поле и их измерений, в магнитное поле помещают ячейку с нематическим жидким кристаллом и производят градуировку зависимости величины емкости ячейки от напряженности магнитного поля.

На фиг. 1 показано устройство, реализующее предлагаемый способ; на фиг. 2 - зависимость величины емкости от напряженности магнитного поля.

Электроды 1, соединенные с измерительным прибором 2, помещаются в магнитное поле 3; пространство между электродами заполняется жидким кристаллом 4.

В качестве жидкого кристалла используется нематический жидкий кристалл CnH2n+i О-СбН4--СООН, помещенный в ячейку, образованную двумя электропроводящими пластинами со сторонами 15X20 мм и расстоянием между ними 100 мкм. Эти пластины служат электродами при измерении емкости лшдкого кристалла. Ячейка помещается в магнитное поле, и измеряется величина емкости жидкого кристалла. Таким образом, €нята зависимость величины емкости от напряженности магнитного поля, по которой при последующих измерениях емкости ячейки с жидким кристаллом в магнитном поле определяется значение его

напряженносги. Используя полученную зависимость, также можно отградуировать измерительный прибор и снимать показания непосредственно с него.

Использование предлагаемого способа измерения напряженности магнитного поля обеспечивает по сравнению с существующими способами следующие преимущества:

а)повышает точность измерений;

б)повышает чувствительность прибора;

в)упрощает аппаратуру, так как не требует дополнительного питания датчика, помещенного в магнитное поле;

г)удещевляет аппаратуру, так как изготовление датчика с жидким кристаллом значительно проще.

Формула изобретения

Способ измерения напряженности магнитного поля, основанный на изменении свойств вещества, помещенного в магнитное поле и их измерении, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и точности, в магнитное поле помещают ячейку с нематическим жидким кристаллом и производят градуировку зависимости величины емкости ячейки от напряженности магнитного поля.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.Чечерников В. И. Магнитные измерения. М., Изд-во:МГУ, 1963, с. 46.

2.Там же, с. 44.

f