Диод Советский патент 1977 года по МПК H01L29/06 

эксгракции. Это поле, равное градиенту ширины запретной зоны варизонной обпвсги, деленному на заряд электрона, можно увеличивать в широких пределах и таким образом достигнуть высокого быстродействия диода, g Величина электрического поля не уменьшается по мере удаления от р- jn -лерехода, чем улучшаются условия экстракции неосновных носителей и повышается эффективность диода.

р- и -переход моЖет располагаться как 10 на границе варизонной области - гетероинжекторе, так и.в объеме гетероинжектора. Второй вариант предпочтительнее, так как в этом случае в области р-ц-перехода отсутствуют скачок ширины запретной зоны Ь к пограничные дефекты. Это снижает паразитный ток рекомбинации в спое объемного заряда и обеспечивает расширение рабочего интервала токов диода в сторону малых токов.

Для уменьшения У влияния рекомбинации 20 в объеме гетероинжекТора. р- Н-переход должен, располагаться от границы варизонная область - гетероннжвктрр на расстоянии, меньшем диффузионной длины неосновных йосителей.25

Для упрощения технологии варизонную область и гетероинжектор целесообразно из готавливать из полупроводниковых соедине НИИ одного класса. Диод может быть выполг ней из твердых раствороввсистеме CQ АР As „. „ . Л постоянная решетки в которых практически не зависит от х .

На основе этих твердых растворов в предложенной конструкции -, могут быть созданы диоды с i накоплением объемного заряда, работаюи1ие в пикесекундном диапазоне, так как .время жизни неосновных носителей заряда можно уменьшать до долей наносекунд и создавать большие градиенты ширины запретной зоны.

Формула изобретения

1.Диод с накоплением объемного заряда представляющий собой полупроводниковую пластину с п-р-переходом, отличающийся тем, что, с целью увеличения его быстродействия и эффективности, Ч&сть пластины выполнена варизонной с уакозо ной частью, расположенной у п -р-перехода на рассто$ нии, меньшем диффузионной длины неосновных носителей заряда.

2.Диод по п. 1, о т л и ч а ю m и Йс я тем, что, он выполнен на основе твердого раствора Са .

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Зя С, М, Физика полупроводниковых приборов, М,, Энергия, 1973, с, i28. 2. Патент Японии № 978, кл. 99(5)Д2, О . rt,..k t. Q « 1967Г

f