Способ получения монохроматических гамма-квантов Советский патент 1978 года по МПК G21G1/00 

Описание патента на изобретение SU555745A1

интенсивность вторичных позитронов с энергией Е -600 мэв как функция угла поворота монокристалла. Анализ интенсивности тормозного из лучения гамма-квантов энергии U; проводят по измерению вторичных позитронов энергииЕ Ео- ш, где Ед-начальная энергия позитрона,Позитроны,ускоренны на линейном ускорителе 1 (см. фиг. 1) до энергии 1 гэв, попадают на монокристалл 2 (кристалл кремния). После излучения фотонов энергии «J вторич цые позитроны выделяются спектрометром 3 с разрешением- - 0,01 и регистрируются ионизационной камерой 4. Монокристалл 2 с толщиной 0,64 мм помещен в гониометрическую головку 5 так, чтобы направление его кристаллографической оси (110) было близко к направлению пучка позитронов, вращение монокристалла 2 осуществляется вокруг оси (001). В области углов, близких к направлению оси пучка позитронов (точнее, не превышающих так называемого критического угла каналирования позитронов наблюдается существенное уменьшение интенсивности вторичных позитронов (за счет эффекта .канала), указывающее на значительное уменьшение интенсивности тормозного излучения (см.фиг.2) Снижение интенсивности т ормозного излучения позволяет увеличить отношение Зд / т I и, кроме того, уменьшение многократного рассеяния в канале . монокристалла позволяет увеличить интенсивность аннигиляционных фотонов за счет увеличения толщины монокристалла . Формула изобретения Способ получения монохроматических гамма-квантов, основанный на аннигиляции позитронов на лету при взаимодействии пучка позитронов с мишенью, о тличающийся тем, что, с целью уменьшения относительного вклада тормозного излучения и исключения ушире ния спектра, обусловленного многократным рассеянием позитронов в мишени, пучок позитронов направляют на монокристалл, который ориентируют так, чтобы угол между осью пучка позитронов и одной из главных кристаллографических осей был меньше критического угла каналирования позитронов в данном монокристалле, а пучок позитронов формируют так, чтобы его расходимость была меньше указанного угла каналирования. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: l..-Rev. ,v.l03, p. 1055,1956. 2 iSeMwotra ei ae.Phvs Rev-, V. 121, p. 605,1961.

Похожие патенты SU555745A1

название год авторы номер документа
Способ определения фононных частот кристаллических твердых тел 1982
  • Болдышев Валентин Федорович
SU1089493A1
Устройство для определения кристаллографических направлений монокристаллов 1983
  • Адищев Юрий Николаевич
  • Потылицын Александр Петрович
  • Хакбердиев Ибрагим
SU1176457A1
Источник ионизирующего излучения (его варианты) 1982
  • Погребняк А.Д.
  • Каплин В.В.
  • Розум Е.И.
  • Воробьев С.А.
SU1088557A1
Источник линейно-поляризованного гамма-излучения 1981
  • Воробьев С.А.
  • Потылицын А.П.
  • Розум Е.И.
SU1009234A1
Способ юстировки коллиматора пучка тормозного @ -излучения 1984
  • Потылицын А.П.
  • Сен-Де Пак
  • Воробьев С.А.
  • Калинин Б.Н.
  • Внуков И.Е.
SU1202490A1
Способ получения электромагнитного излучения 1980
  • Воробьев С.А.
  • Розун Е.И.
  • Таратин А.М.
SU869496A1
Способ получения электромагнитного излучения 1979
  • Диденко А.Н.
  • Воробьев С.А.
  • Каплин В.В.
  • Савельев Г.И.
  • Розум Е.И.
SU758933A1
Импульсный источник нейтронов 1979
  • Еремеев Игорь Петрович
  • Кумахов Мурадин Абубекирович
SU794787A1
Способ ориентирования монокристаллической мишени 1981
  • Розум Евгений Иванович
  • Воробьев Сергей Александрович
  • Пак Сен-Де
SU976509A1
Способ генерации электромагнитного излучения 1982
  • Воробьев С.А.
  • Каплин В.В.
  • Розум Е.И.
SU1101050A1

Иллюстрации к изобретению SU 555 745 A1

Реферат патента 1978 года Способ получения монохроматических гамма-квантов

Формула изобретения SU 555 745 A1

/

IIIIIIUIII 111111111 n

-5

О

Iff в, нра9

Фиг. 2

SU 555 745 A1

Авторы

Гришаев И.А.

Коваленко Г.Д.

Мороховский В.Л.

Касилов В.И.

Фисун А.Н.

Шраменко Б.И.

Криницин А.Н.

Бочек Г.Л.

Витько В.И.

Кулибаба В.И.

Даты

1978-01-05Публикация

1972-04-24Подача