Запоминающая матрица Советский патент 1977 года по МПК G11C11/63 

(54) ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА

3 .5

ка считывания 4 вьэтолнена из полуобмоток 4 и 4 , а обмотка запрета 5 - из полуобмоток 5 и5 . Полуо()мотки 4, 4 ,5 и 5 проложены параллельно одна другой на всех участках проингаки. ri тякже параллельно координатным обмоткам Y Полуоомотки 4.ri 4 соединены встречно и образуют оГзмотку, пронизывающую все сердечники матриць. Полуоб(иотки 5 и 5 соеданены согласно к образуют обмотку, также пронизьшающую все сердечники. Клеммы полуобмоток 4 и 4 являются выходныхп5 клеммами обмотки считьюания и подключены ко входам дифференциального усилителя ечитьгеания (la чертеже не показан). Клеммы полуобмвток 5 и 5 являются выходными клеммами обмотки запрета. Формирователь тока запрета подклю4ен,капример, к клемме 5, а клемма 5 при этим заземлена (стрелками показаны направления тбка запрета). При таком включении происходит компенсация помех от тока запрета.

Предложе г)шя матрица позволяет прошивать полуобмотки считывания и запрета одновременно, например двойным (или двужильным) проводом, за одну технологаческую операцию, При этом С1ш-жениг трудоемкости прошивки матрицы составит более, чем 50% по сравнению с прошивкой известных четырехНроводных матриц системы ЗД, 4W. Данная матрица при сохранешш всех техникоэкотлуатационных преимуществ матриц сисусмы 3D, 4W имеет такую же трудоемкость изготовления, как и трехпроводные матршш системы 3D, 3W с совмещешюй обмоткой считывания-запрета, но без недостатков последних.

Кроме того, в даннсй матрице снижаются помехи, наведенные в обмотке счИтьшания от токов в параллельных ей координатных проводах из-за наличия между ними емкостной связи. Это достигается благодаря расположергию провода .обмотки запрета, подключенной непосредственно к точке с нулевым. потенциалом, в непосредственной близости от провода обмотки считьшания и созданию при этом явно выраженного эффекта электростатического экрана.

Формула изобретения

Запоминающая матрица, содержащая ферритовые сердечники, прощитые координатными обмотками, обмотками считьшания и запрета, отличающаяся тем, что, с целью упрощения и повышения помехоустойчивости матрицы, в ней каждая обмотка сштьшания и запрета вьшолнена из двух полуобмоток, прошитых параллелыга одна другой на всех участках прошивки, од}Ш полуобмотки соединены согласно, а другие - встречно.

Источники информации, примятые во внимание при экспертизе.

1.Китович В. В. Оперативные запоминающие устройства на ферритовых сердечниках и тонких магнитных пленках , изд-во Этергая, 1965 г., стр. 64,66,.

2.Kpaii3Mep Л. П. Быстродействующие ферромагнитые запоминающие устройства , изд-во Энергия, 1964 г., стр. 123.

A

It

5

5 5