Устройство для определения типа проводимости полупроводников Советский патент 1977 года по МПК G01R31/26 

Описание патента на изобретение SU561157A1

сш лости от типа его проводимости и от по лярности напряжения поляризации. На чертеже изображено предлагаемое устройство. Устройство содержит пластину 1 из сэгнетоэпега-ркческого материала, на противоположные грани которой нанесены электродь поляризации 2, подключенные к источнику питания 3. контакт 4,, измеритеяь проводимости 5, исследуемый полупроводниковый образец 6. Устройство работает слещтощим образом. Г1ри включении источника питания 3, йспедствие поляризации сегнето&лектрического материала пластины 1, на ее повёру ности возникает электрический заряд, обогащающий или обедняющий полупроводниковый образец 6, Обогащение или обеднение полупровдикка 6 зависит от типа е проводимости и от поляризации напряжени KCTOHiiKKa питания 3 (поверхностного пол ризатднокного заряда). При положительном поляризационном заряде ггроисходит обогащение носитвлам пол-;.проводников и обеднение носителями полупроводников и - типа. Обогащение или обеднение носителями фиксируетск измерительным прибором па увеличению или уменьшению тока (проводимости) исследуемого образца. Эффективность устройства проквпяется при определении типа проводимости высокоомных полупроводников, а также полупроводников с низкой подвижностью носителе. Устройство обладает более простой конструкцией по сравнению с известным, т.е. отпала необходимость в источнике сильного магнитного поля. Формула изобретен и я Устройство для определения типа проводимрсти полупроводников, содержащее источник питания, регистрирующий прибор, электроды для подключения исследуемого образца, отличающееся тем, что, с целью расщирения диапазона измерений и упрощения устройства, оно содержит сегнетоэлектрическую пластину с двумя нанесенД1ьгми на ее грани и соединенными с источником питания, электродами поляризации, один из которых соединен с исследуемым образцам непосредственно и через измеритель проводимости. Источники информации,- принятые во внимание при экспертизе: 1.Жилискас П. Ю., Сакалас А. Н. Измерение эффекта Холла ввысокоомных образцах на постоянных Полях, Приборы и техника эксперимента, 1942 г., № 3, с. 238. 2,Авторское свидетельство СССР № 190176,Н О1 L З/ОО, 1962.

Похожие патенты SU561157A1

название год авторы номер документа
Устройство для определения типа проводимости полупроводников 1982
  • Аболтиньш Э.Э.
  • Кугель Х.И.
SU1085390A1
Способ определения подвижности неосновных носителей заряда (его варианты) 1983
  • Болгов Сергей Семенович
  • Ботте Виктор Александрович
  • Липтуга Анатолий Иванович
  • Малютенко Владимир Константинович
  • Пипа Виктор Иосифович
  • Яблоновский Евгений Иванович
SU1160484A1
Способ определения профиля распределения концентрации основных носителей заряда по глубине в полупроводниковых гетероструктурах 2023
  • Яковлев Георгий Евгеньевич
  • Зубков Василий Иванович
  • Соломникова Анна Васильевна
RU2802862C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ 2009
  • Грохотков Иван Николаевич
  • Яфясов Адиль Маликович
  • Филатова Елена Олеговна
  • Божевольнов Владислав Борисович
RU2393584C1
ОПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР СИГНАЛОВ СЛОЖНОЙ ФОРМЫ 2006
  • Перепелицын Юрий Николаевич
  • Жаворонков Николай Васильевич
  • Перепелицына Елена Юрьевна
  • Пылаев Юрий Константинович
RU2324961C1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ 1993
  • Ильичев Э.А.
  • Лукьянченко А.И.
RU2079853C1
Матричный накопитель для фотоэлектрического запоминающего устройства 1975
  • Масалов Владимир Васильевич
  • Масловский Владимир Михайлович
  • Тишин Юрий Иванович
  • Холоднов Вячеслав Александрович
  • Цилибин Борис Иванович
SU734805A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В ВАКУУМ 2003
  • Афанасьев И.В.
  • Бенеманская Г.В.
  • Вихнин В.С.
  • Франк-Каменецкая Г.Э.
  • Шмидт Н.М.
RU2249877C2
Способ определения толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкциях и устройство для его осуществления 1989
  • Дьердь Ференци
  • Каталин Эрдельи
  • Мария Шомодьи
  • Янош Бода
  • Дьердь Фюле
  • Габор Асоди
SU1713448A3
НЕРАЗРУШАЮЩИЙ СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ 2018
  • Усанов Дмитрий Александрович
  • Постельга Александр Эдуардович
  • Шаров Игорь Викторович
  • Калямин Алексей Александрович
RU2679463C1

Иллюстрации к изобретению SU 561 157 A1

Реферат патента 1977 года Устройство для определения типа проводимости полупроводников

Формула изобретения SU 561 157 A1

II

V. ,

тп

SU 561 157 A1

Авторы

Завалин Игорь Вячеславович

Иващенко Александр Владимирович

Максимов Владимир Константинович

Потыкевич Иван Васильевич

Даты

1977-06-05Публикация

1976-02-13Подача