сш лости от типа его проводимости и от по лярности напряжения поляризации. На чертеже изображено предлагаемое устройство. Устройство содержит пластину 1 из сэгнетоэпега-ркческого материала, на противоположные грани которой нанесены электродь поляризации 2, подключенные к источнику питания 3. контакт 4,, измеритеяь проводимости 5, исследуемый полупроводниковый образец 6. Устройство работает слещтощим образом. Г1ри включении источника питания 3, йспедствие поляризации сегнето&лектрического материала пластины 1, на ее повёру ности возникает электрический заряд, обогащающий или обедняющий полупроводниковый образец 6, Обогащение или обеднение полупровдикка 6 зависит от типа е проводимости и от поляризации напряжени KCTOHiiKKa питания 3 (поверхностного пол ризатднокного заряда). При положительном поляризационном заряде ггроисходит обогащение носитвлам пол-;.проводников и обеднение носителями полупроводников и - типа. Обогащение или обеднение носителями фиксируетск измерительным прибором па увеличению или уменьшению тока (проводимости) исследуемого образца. Эффективность устройства проквпяется при определении типа проводимости высокоомных полупроводников, а также полупроводников с низкой подвижностью носителе. Устройство обладает более простой конструкцией по сравнению с известным, т.е. отпала необходимость в источнике сильного магнитного поля. Формула изобретен и я Устройство для определения типа проводимрсти полупроводников, содержащее источник питания, регистрирующий прибор, электроды для подключения исследуемого образца, отличающееся тем, что, с целью расщирения диапазона измерений и упрощения устройства, оно содержит сегнетоэлектрическую пластину с двумя нанесенД1ьгми на ее грани и соединенными с источником питания, электродами поляризации, один из которых соединен с исследуемым образцам непосредственно и через измеритель проводимости. Источники информации,- принятые во внимание при экспертизе: 1.Жилискас П. Ю., Сакалас А. Н. Измерение эффекта Холла ввысокоомных образцах на постоянных Полях, Приборы и техника эксперимента, 1942 г., № 3, с. 238. 2,Авторское свидетельство СССР № 190176,Н О1 L З/ОО, 1962.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для определения типа проводимости полупроводников | 1982 |
|
SU1085390A1 |
Способ определения подвижности неосновных носителей заряда (его варианты) | 1983 |
|
SU1160484A1 |
Способ определения профиля распределения концентрации основных носителей заряда по глубине в полупроводниковых гетероструктурах | 2023 |
|
RU2802862C1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ | 2009 |
|
RU2393584C1 |
ОПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР СИГНАЛОВ СЛОЖНОЙ ФОРМЫ | 2006 |
|
RU2324961C1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ | 1993 |
|
RU2079853C1 |
Матричный накопитель для фотоэлектрического запоминающего устройства | 1975 |
|
SU734805A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В ВАКУУМ | 2003 |
|
RU2249877C2 |
Способ определения толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкциях и устройство для его осуществления | 1989 |
|
SU1713448A3 |
НЕРАЗРУШАЮЩИЙ СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ | 2018 |
|
RU2679463C1 |
II
V. ,
тп
Авторы
Даты
1977-06-05—Публикация
1976-02-13—Подача