Способ обработки монокристаллов ниобата лития Советский патент 1978 года по МПК G03H1/18 

154) СПОСОБ ОБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТА

. ЛИТИЯ 356 ным (л/48 ч) отжигом при высокой температуре (1000 С), нецопустимым в случае создания на поверхности кристалла или в его объеме каких-либо структур испол зование инертной атмосферы} ограничейной толщиной фазовой голограммы, поскольку толщина диффузного слоя 50ipo мкм. Уменьшение толщины гологра л мы ведёт к пропорциональному уменьшению информативной емкости ISYj ухудшению угловой и спектральной селективности объемной фазовой голограммы. Способ не позволяет создать реверсивную среду за данной формы внутри кристалла, обладающую сймметр ганой записывающе-сткраюшей характеристикой, Цель изобретения - создание реверсив ной среды заданной формы внутри кристал ла, обладающей симметричной записываю ще-стира-юшими харшгтерпстиками, Эт-о достигается облучением монокрис таллов электронным пучком с дозой 10 ° Ю е/см , и энергией электронов не более 1-2 Мэв на 1 мм толщины и не ме нее О,5 Мэв в обычной атмосфере при комнатной гемперагуре. Способ осуществляется следующим обр аом. Из монокристаллов нцЬбата лития вырё зают пластинки параллельно оптической оси С кристалла. Пластинки полируют по оптическому классу чмстотьи .Получениьг образцы кристаллов далее обрабатывают предлагаемым способом. Получают реверсив1 ю среоз заданной формв18 обладающую симметричными записываюше-стирающими характеристиками. На фиг, 1 изображены записьшаюшестирающие карактеристикй чистого монокристалла LI NtsOg , используемог-о в качестве реве хзивной до обработки впвЕ гронным пучком. Моно1фисталл liNbOj представляет собой пластинку А-среза, обе поверхности которой оптически/ отполированы. Записывающего-стиракицие характеристики исследовались следующим образом; излучение аргонового лазера, работающего на одной поперечной моде, расшеплялось на объектмььй, и опорный лучи одинаковой интенсивности, которые скрещивались в кристалле Li НЪОд под углом 15 , OnTH-i ческая ос-в кристалла LiNbOg лезкала в плоскости распространения записывающих лучей и была перпендикулярна, нх бисектору. Дифракционная эффективность фазовой голограммы, возникающей в кристал- 0 ле, измерялась с использованием излучения Не -Мелазера (633 нм). Кривая 1 изображает запись голограммы излучением аргонового лазера (длина волны 488 нм, плотность мощности 1 Вт/см ). Кривая 2 изображает процесс стирания голограммы излучением того же лазера Кривые. 3 и 4, 5 и 6, 7 и 8, 9 и 10 изображают соответственно второй, третий, четвертый и пятый циклы записьстирание голограммы в одном и том же месте кристалла, Как видно из фиг. 1, записывающестирающая характеристика не обладает симметрией. Воспроизводимости характеристики отсутствует. На фиг. 2 показана реверсивная харак-теристика шести последовательных циклов запись (5 сек) - стирание (5 сек) в одном и том же месте кристалла; для исходного чистого кристалла - кривая 11 и обработанного пучком быстрых электронов-кривая 12. Как видно по кривой 11, чистый кристалл If NbOj не обладает реверсией; стирашае оказывается неполным, и .последующая запись накладывается на пре- дыдущую, утот эффект накопления приводит к искажению всех последующих голограмм. Кривая 12 свидетельствует о хороией реверсивной -характеристике и симмет ричных записывающе-стирающих характеристиках кристалла LiNbOj, обработанного предлагаемым способом; доза 5 1О е/см, энергия электронов 3,8Мэв, то -пцина образца 3 мм. В результате исследования реверсивной характеристики для Зи циклов в разгных местах кристалла получена хорошая повторяемость, Предлагаемый способ обработки кристалла ниобата лития позволяет обрабатывать кристалл при комнатной температу-ч ре и в атмосфере воздуха; использовать кристаллы, имеющие на поверхности или в объеме готовые структуры, например металлическую пленку толщиной 10 100 мкм на повер; ности (это не препятствует объемной обработке кристалла эяектрош ым пучком)} создавать внутри кристалла реверсивную среду для голографической записи о оптическим стиранием, имеющую любую заданную форму и обладающую симметричными записываклцестирающими характеристиками.