Интегральная схема Советский патент 1978 года по МПК H01L27/00 

(54) ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА омические контакты. При этом базовые об пасти содержат область противоположного типа проводимости. Между эмиттером горизонтального и ба ЗОЙ вертикального транзисторов могут быть расположены несколько рядов упомянутых дополнительных областей на ми1шмальном расстоянии друг от друга. На чертеже схематически показана предлагаемая интегральная схема в плане ив сечениях. Интегральная схема выполнена в области « - типа проводимости, служащей подложкой 1, В подложке 1 расположены диффузион ные области 2 - 7 jv-rmia проводимости, в области 7 имеется диффуа1ОШ1ая область 8 типа проводимости. В подложке 1 также расположены области 0-12, имеющие тип проводимости, причем облает 9-12 частично примыкают ко всем диффузиеяоош областям 2-7 р-типа проводимости. Все диф фузионные области, за искпючейием области Т имеют омические контакты, условно показанные на чертеже пунктиром и штриховкой. Упомянутые контакты к областям 3-6 служат входами интегральной , ко№такт к области 8 - выходом, а контакты к областям 2 и 12 - соответственно для подключения плкюовой и землячой шин источника питания схемы. Области 9 к 10 используются для подавления паразитного транзисторного взаимодействия между облас тями 3 и 5 и областями 4 и 6 соо-геетственно. Высоколегированные области 11 и 1 уипа прбёояямости выпо/шябт аналргичные функпив по отношению к областям 2 и 7, и кроме того, обеспечивают б&льшке коэф фипяенты 9М1ггтера инжекции. Интегральная схема работает следую1Щ1М образом. При подаче напряжения питания область 2 инжектирует носители заряда в подложке 1, KOTopi e в результате дрейфа и диффузии попадают в области 3-6. Если все входы находятся под потенниалом,. близким к потенниаду земли, то коллектированные об ластями 3-6 носители заряда образуют ток, замыкающийся ни Землю, при этом на омическом контакте области 8 имеет место высокий потенциал. Бслн один из вход1с«, например область 3, находится под высоким потешшалом, то неосновные носитетт зарядов, коллектированные этой областью, создают избыточный зарад, вследствие чего i р-Я- переход, ограничивающий данную область, смешается в направлении. При этом область 3 начинает инжектировать подвижные заряды в подложку 1, т.е. имеет место так называемая переинжекпиА Пере-, инжектированные носители коллектируются областью 8. В результате в области 8 созидается избыточнь1Й заряд, смещающий pv-tj переход, ограничивающий область 8 в прямом направлении, что обусловливает уменьшение потенциала на омическом контакте К области 8 до величины примерно равной потенциалу Земли. Итак, предложенная интегральная схема выполняет логическую функцию ИЛИ-НЕ для. логических переменных: О - низкий потенциал, 1 - высокий потенциал. МинИмальнь1е расстояния между областя ми 2 и 3-6, а также между областями 7 и 3-6 требуются для того, чтобы свести к минимуму рекомбинаиионные потери неосновных носителей зарада в подложке 1. Интегральная схема может быть изгото&лен а по обычной планарно-эпитаксиальной те нологии. Предложенная интегральная схема представляет собой функционально-зако.. ченный типовой логический элемент с большой нагрузочной способностью и может быть эффективно использована при построетш больших интегральных схем. ф. о р м у л а изобретения Интегральная схема инжекиионного типа, содержащая горизонтальные и вертикалыые Т1эанзисторы дополняющего типа проводимости с электродами, отличающаясй тем. Что, с целью урасширения функциональных возмсвкностей, между эм и:гтером горизонтального и базой вертикального транзисторов расположена по крайней мере одна дополнительная инжектирующая область, снабженная омическим контактом. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: . 1. Патент США № 3643235, кл. 340-173, 1972. 2- Патент США № 3736477, кл. 317-235,1 1973.