Импульсный модулятор Советский патент 1977 года по МПК H03K7/02 H03K3/53 

рующей искусственной линии 3, / - ток заряда линии 3, RH - сонротивление резистора нагрузки. Волновое сопротивление линии 3 равно

г./ 0,

Р

Максимальное значение нанряжения на конденсаторах 6 линии 3 в процессе формирования прямоугольного импульса в такой схеме не превышает 0,5/р 0,25 IRi,0,5U, т. е. половины амплитуды напряжения на резисторе нагрузки.

Формула изобретения

Импульсный модулятор, содержащий источник питания, с положительным полюсом которого соединен один из электродов зарядного коммутирующего элемента, формирующую искусственную линию, резистор нагрузки, о тличающнйся тем, что, с целью повышения надежности модулятора путем снижения напряжения на конденсаторах формирующей искусственной линии, параллельно последовательно соединенным индуктивности формирующей искусственной линии включен

резистор нагрузки, один вывод которого соединен с отрицательным полюсом источника питания, а другой - со вторым электродом зарядного коммутирующего элемента. Источники информации,

принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США № 2677053, кл. 328-65, 1954.

51

J