Способ фототермопластической записи информации Советский патент 1977 года по МПК G03G13/45 

можно получать при низких напряжениях, а именно при напряжениях меньших напряжения пробоя воздушного зазора между ТПН и фогополупроводниковой пластиной. Пример. Термопластический носитель с защитным слоем ТПН-14 толщиной 8-10 мкм приводят в контакт с фотополупроводниковой пластиной со слоем толщиной около 15 мкм, прикладывают между ними постоянное напряжение 1000-1 200в обрат ной полярности по отношению к напряжению записи (+ поаается на подложку фотополупроводниковой пластины и - на ТПН) и одновременно с этим равномерно освещают фотополупроводниковую пластину. При этом ТПН заряжается до положительного потенциала 400-600в. После этого меняют полярность напряжениг на противоположную и одновременно с этим осуществляют проецирование оптического изображения. При этом происходит разрядка ТПН: более ннген сивно в освещенных и менее - в неосвещен ных участках, так как разрядка происходит через управляемое светом сопротивление фо тополупроводникового слоя. Это и приводит к формированию на ТПН негативного скрыто го электростатического изображения. После отделения фотополупроводнико1зой пластины от ТПН, последний проявляют нагревом, в результате чего на термопласти- ке образуется негативное изображение в ви де механических микродеформаций, причем глубина деформаций больще в неосвещенных местах. При подаче напряжения 100-ЗООв, равномерном освещении и последующей подаче напряжения записи 1000-1200 в, И проецирования оптического изображения на ТПП образуется позитивное изображение. Формула изобретения Способ фототермопластической записи информации, Jaключaющийcя в том, что фотополупроводниковую пластину приводят в контакт с термопластическим носителем, подают между ними постоянное напряжение и одновременна с этим проецируют оптическое изображение, после чего отселяют- reprv.-aпластический носитель от фогополупзозодн:;- КОБОЙ пластины и полученное на термопластическом носителе скрытое изображение проявляют, о т л м ч а ю щ и и с я тем, что, с целью рас111ирения техиолог-ическкх Bo:iMo KHon-eii путем получения на гермолла-стическом носителе негатившлх изображений, перед арсецироиинием оптического изображения и подачей посгоякного напрях ения между термопласгичесхим иоснге/шм л фото- полупроводниковой пластиной подают между ними напряжение обра гной полярлосги и одновремешю с этим равномерно освещают фотополупроьодникоиую пластину. Источ}111ки информации, прииягь е во внимание при экспертизе: 1. Авторское свндетельстЕ1О СССР № 374808, кл. Q ОЗ 1 13/00, 1973.