Способ управления излучением стримеров Советский патент 1982 года по МПК H05B33/08 

(54) СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ИЗЛУЧЕНИЕМ СТРИЛ1ЕРОВ

сталла, где проходит стример. Этим достигают локального изменения соиротивления образца и, как следствие этого, уменьшеиия длины разрядов или их интенсивности.

Освещение кристалла импульсным светом не сопровождается повреждением его поверхности, так как порог разрушения кристаллов больше мощности, необходимой для управления излучением стримеров. Для CdS, например, плотность мощиости света, при которой достигается полное гашение стримерного свечения, составляет 10- 100 кВт/см2.

Предлагаемый способ управления стримерным излучением малоинерционеп, что определяется крутизной переднего фронта светового импульса лазера ( не). Изменение интенсивности стримеров ие приводит к возникновению их временной нестабильности.

Таким образом, способ позволяет плавно, малоииерционно и локально по кристаллу изменять интенсивность излучения полупроводников. Этот способ позволяет управлять свечеием отдельных стримеров и не приводит к повреждению поверхности или объема кристалла.

Способ может быть использован для урравления полупроводниковыми источниками спонтанного или когерентного излучения.

возбуждение которых осуществляется с помощью высоковольтного импульсного электрического поля бесконтактным методом. Предложенный способ позволяет управлять и спектром излучения полуироводникового источника света, если в качестве полупроводника взять варизонный кристалл, например CdSj:Sei-.x- с градиентом конпеитрации атомов серы по длине образца. В

этом случае можио осуществить модуляцию излучения по длине волны от синей до красной частей спектра.

Формула изобретения

Сиособ управления излучением стримеров в полупроводниковом кристалле, основанный на изменении величины напряженности высоковольтного электрического поля внутри кристалла путем подачи на него импульса поля, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности управления, на кристалл синхронно с импульсом поля подают световой импульс с

частотой из области фотопроводимости полупроводника и мощностью, не превышающей порога разрушения и обеспечивающей уменьшение сопротивления кристалла до величины, при которой стримериое свечение

не возникает.