Способ изготовления труб из кремния или карбида кремния и устройство для его осуществления Советский патент 1978 года по МПК B01J17/32 

ет токовые контакты, снабженные патруГжами для ввода и вывода тазов, содержащих кремний или карбид кремния. Кожух может быть снабжен средствами ввода.и вывода инертного газа, чтобы защитить графитовый носитель от обжига во время нагревания.

На чертелсе изображено предлагаемое устройство. Оно содержит трубчатое полое тело из графита с токовыми контактами по бокам 2 и 3, которое используется в качестве носителя для внутреннего осаждения полупроводникового материала. Для этой цели графитовая трубка 1 снабжена затворами для впуска4 и выпуска о газа для реакции. Для защиты тлеющего графитового тела 1 во время осаждения материала его боковую поверхность 6 защищает кожух - окружающая его кварцевая трубка 7, с доступом инертного газа 8., По ходу осуществления способа газообразный силикохлороформ, смешанный с водородом, через впускной затвор 4 вводят внутрь трубки, который разлагается там на внутренней стенке, нагретой до 1100°С, образуя чистый слой кремния 9. После получения достаточного сЛоя кремния 9 (по крайней мере тол.шиной в мм) все устройство, охлаждается и графитовая трубка 1 отделяется от кремниевой трубки 9.

Дли удаления носителя из графита применяется сильноокисляющий концентрированный раствор кислоты, .например 50-60°/о-ный раствор азотной кислоты, нагретый до 50-100°С. Чем выше концентрация раствора кислоты, тем ниже может быть температура раствора. Это относится также и к сОответствуюи1им растворам серной кислоты..

Для осаждения тел из .карбида кремния используют монометилтрихлорсилан.

Изготовленные таким образом кремниевая рубка, или трубка из карбида кремния или какого-либо другого полупроводникового маериала в основном газонепроницаемые и используются для диффузионных процессов в бщей полупроводниковой технике.

Если такую трубку нужно нагреть непосредственно, то рекомендуется покрыть ее боковую поверхность полупроводниковым материалом с больщим содержанием примеси. Для этого сначала внутри трубки графитового носителя осаждается слой кремния с большим содержанием примеси, а затем на него наносится слой высокочистого кремния так, что после удаления графитового носителя боковая поверхность полученной кремниевой трубки содержит слой с больщим содержанием примеси.

Формула изобретения

1.Способ изготовления труб из кремния

S или карбида кремния, используемых в полупроводниковой технике для диффузионных процессов, путем осаждения кремния или карбида кремния из газовой фазы, содержащей кремний или карбид кремния, на поверхность на}гретого полого носителя из .графита с последующим его удалением, ог.дычшои мйся тем. что, с целью упрощения процесса и более равномерного; осаждения, его ведут на внутреннюю поверхность носителя, нагреваемого до температуры осаждения непосредственно от источника напряжения, а удаление носителя ведут растворением в кислоте.

2.Устройство для осуществления способа по п. 1, включающее полый трубчатый носитель из графита,: размещенный в кожухе, огличающееся тем, что по обоим концам носитель имеет токовые контакты, снабженные патрубками для ввода и вывода газов, содержащих кремний или карбид кремния.

3.Устройство по п. 2, отличающееся тем, что кожух снабжен средствами ввода и вывода инертного газа.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент ФРГ № 1805970, кл. 12 s 17/32 23.09.1971.