Устройство для считывания информации Советский патент 1978 года по МПК G11C7/00 G06K7/14 

Изо бретение относится к области вычислительной техники.

Известны считывающие уст.ройства, применяемые в вычислительной технике для усиления сигналов с фотодиодов .

Наиболее |блиэким техническим решением к изобретению является устройство для считывания информации, содержащее транзисторы, п-р-п- и р-п-Р-ТИ.ПОВ, эмиттер л-р-п и коллектор р-п-р-т1ранзи€торО1В соединены с отрицательной шиной литания, коллектор п-р-п и эмиттер р-п-р-транзисторов через левый резистор подключены к положительной щине питания, база п-р-л-транзистора соединена с анодом фотодиода, катод которого подключен к базе р-п-р-траязистора 2.

Недостатками такого устройства являются невозможность работы в щироком диапазоне температур, так жа.к с ростом температуры растет темновой то,к фотодиода, что ведет к его ложному срабатыванию; низкая помехозащищенность устройства, обусловленная большим коэффициентом усиления и отсутствием порогового устройства, ограничивающего уровень помех, и необходимость подбора транзисторов |по обратному коллекторному току для компенсации темпового тока фотодиода и применения дополнительного устройства формирования выходного сигнала.

Цель изобретения - повышение ломехозащящеиности устр ойств а.

Поставленная цель дОСтигается те:м, что, в предложенное устройство введен оптрон и второй ,резист,0)р. OnTipoH соедннен с положительной шиной литания и через второй резистор с .коллектором п-р-л-транзистора.

На чертеже приведена принципиальная схема лредложениого у1СпроЙ|Ства.

Уст1ройство содержит резисто-р /, р-п--ртраизйсто1р 2, фотодиод 3, оптрон 4, резистор 5 и п-р-п транзистор 6.

При отсутствии зааветк1И фотодиода 3 через него протекает темяовой ток, часть которого компенсируется обратными коллекторными токами цранзисторов 2, 6, а остальная часть является отпир.ающей для транзисторав 2 У1 6. С ростом температуры темяовой ток фотодиода 5 увеличивается, что вызывает частичное отпЕ раеие транзисторов 2 yi 6, недостаточное для орабатьгвая1ия оптрона 4. Резистор /, включенный параллельно оптрону 4 и резистору 5, |уве пичивает световой ток черкез фотодиод 3, который зав1иаит от общего сопротивления нагрузки транзисторов 2 и 6. Ток транзисторов 2 vi 6 распределяется по двум цепям: резистор У, оптрон 4 и резистор 5. Резистор 1 лозволяет расширить (перепад между темяовым и световым токами фотодиода 5 за сч-ет изменения общего сопротивления яалрузКи Tip H3H€TO;pOiB 2 (Я 6, а также ооаместно с резИСФаром 5 лоззоляет устаиовить порог Срабатьквамия устрюйства с учетам уровня помех и iBOSipacTaiHMH темиавого то1ка фотодиода л/ри повышении температуры. При оевещенаи (ДИода 3 ток, тр:0текающий через оптрон 4 и резистор 5, цр авыш-ает порог срабатывания аптрола 4 и «а выходе устройства появляется оф oipiM ирОВ aiHH ы и сипн а л.

Формула и 3 о б р € т е -н И я

Устройство для С4иты1ващия информации, содержащее два Т1ран5истчра п-р-я и р-п- /7-ти1пов, прячем эм,итте|р п-р-п- я коллектор р-п-р-тращзИ|Сторо.в сюединеиы с отрицательной шиной иитайия, а ;колл1ек;тор п-р- п- и SiMiHTTep р-п-/ -транзисторов че;рез первый резистор подключены к положительной шине питания, база п-р-я-транизистора соединена с анодом фотодиада, катодКоторого подключен к базе р-п-jD-транзистора, отличаю ш е е с я тем, что, с целью лавышения помехоустойчивости, в уст|ройсто введен оптрон и вторОй резистор, .причем onTpOiH соедиНйн с :п1оло ЖИтел1 Н10й шиной питания и через второй резистор с колле1кт0 р1ам я-р-я-тра«аистора.

Источники информации, принятые во внимание .при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР № 395867, кл. G )06 К 7/14, 1973.

2. Авторское овидетельство СССР № 468303, кл. G 11 С 11/42, 1973.